射频功率和沉积气压对非晶硅薄膜材料性能的影响.pdfVIP

第 44卷 第 3期 内蒙古师范大学学报 (自然科学汉文版) Vo1．44No．3 2015年 5月 JournalofInnerMongoliaNormalUniversity (NaturalScienceEdition) M ay2015 射频功率和沉积气压对非晶硅薄膜材料性能的影响 张 娜，李海泉，周炳卿，张林睿，张丽丽 (内蒙古师范大学 物理与 电子信 息学院，内蒙古 呼和浩特 010022) 摘 要 ：采用等离子体增强化学气相沉积技术 ，通过改变射频功率与沉积气压两个参数来沉积非晶硅薄膜 材料 ，并研究 了变化参数对薄膜沉积速率 、晶化情况 、氢含量 、光电学性质以及材料表面形貌等的影响．结果表明： 射频功率在较低 的范围内变化时，对薄膜 的沉积速度影响很大，对材料的光电特性 比较敏感 ；沉积气压升高达到 一 定值后 ，沉积速率变化不太 明显，光电影响比较缓和 ；在低气压、小功率条件下，薄膜 中出现小晶粒生长． 关键词 ：氢化非晶硅薄膜 ；射频功率 ；沉积气压 ；光 电特性 中图分类号 ：TK304 文献标志码 ：A 文章编号 ：1001-8735(2Ol5)03--0347--05 非晶硅作为一种无定型的硅材料 ，在半导体 中的应用十分广泛．由于非 晶硅的结构长程无序 ，整体上类 似各 向同性的特性 ，因而能够展现 出一些晶体材料没有 的独特性质．非晶硅 的暗电导非常小 ，通常能够达到 10一~l／cm，其光敏性 比较好 ，一般被用在光电探测器、显示器以及太阳能电池 中．非晶硅薄膜材料 的制备方 法主要是等离子体化学气相沉积技术 (PECVD)，此外还有磁控溅射技术 (MSCVD)和热丝化学气相沉积技 术等方法．在工业生产中，制备非晶硅的方法主要是射频等离子体化学气相沉积技术 (RF—PECVD)，因而参 数的选择对于材料 的特性影响很大．本文通过调节沉积系统中的射频功率和沉积气压 ，研究参数变化对非晶 硅薄膜材料特性的影响． 1 实验 实验使用 的是沉积系统为 RF—PECVD，射频频率为 13．56Hz，采用平面耦合式电容 ，电极间距为 2cm， 气体总流量为 100sccm，硅烷浓度为 0．7 ．衬底为 corning7059玻璃 ，衬底温度为 200℃．首先将沉积气压 定位于 133Pa，改变射频功率 (10～50w)制备非 晶硅薄膜 ，之后将射频功率设置为 50w ，改变沉积气压 (133～4O0Pa)，制备另一组样品． 实验 中制备的样品，通过 X射线衍射谱、拉曼光谱和红外傅里叶吸收光谱分别对材料结构、氢含量和氧 化情况进行测试 ，用扫描电镜对材料表面形貌进行表征 ，用紫外可见谱对材料薄膜的厚度以及光学带隙进行 测量 ，材料的光暗电导特性用 Keithley617高阻仪测试． 2 结果与讨论 2．1 射频功率对沉积速率的影响 沉积气压为 133Pa时 ，射频功率 (10~50w)与沉积速率的关系图 1所示．从 图1可以看到 ，随着功率的 提高 ，非晶硅薄膜沉积的速度显著加快 ，但超过 4OW 后 ，沉积的速度又明显变慢．从 4Ow 到 50w 减小的趋 势可 以看 出，硅烷 已完全分解．对于速率的减小 ，可能是 以下两个原因引起的，一是薄膜开始结 晶，充分分解 的氢原子对薄膜表面的刻蚀加剧 ，另一个高能离子的轰击抑制了薄膜的生长．一般来说 ，非晶硅的拉曼光谱 中只在 480cm 处显示一个 峰包 ]．对射频功率为 50w 条件 下制备 的非 晶硅 薄膜进行拉曼测试发现 收稿 日期 ：2014—09—25 基金项 目：国家 自然科学基金资助项 目；内蒙古师范大学2013年度研究生科研创新基金项 目(CXJJS13O43) 作者简介 ：张 娜 (1989一)，女，山西省吕梁市人，内蒙古师范大学硕士研究生 通信作者 ：周炳卿 (1963一)，男 ，内蒙古兴和县人，内蒙古师范大学教授，博士，主要从事光 电薄膜材料与太阳能电池研究，E—mail：zhoubq @ imnu．edu．cn． 内蒙古师范大学学报 (自然科学汉文版) 第 44卷