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矽晶圓清洗製程 蘇水祥 教授 義守大學 電子工程學系/所 矽晶圓清洗過程之要求 1.有效清除表面所有類型之污染物 2. 不蝕刻或破壞矽或二氧化矽表面 3.使用高純度且揮發性 (volatile)化學品 4. 具安全性，簡易，符合經濟效益以利量產 應用 5. 無殘毒廢棄處理，符合環保要求 污染物種類及其影響 在 VLSI及 ULSI製程中，”超潔淨晶圓表面 ” ， 即晶圓表面應無 --塵粒吸附 --有機物污染 -- 金屬污染 --粗糙表面 -- 原生氧化層 微塵，有機物，金屬污染可藉由無塵室及清洗技術 之進步來抑制 去除原生氧化層對於成長”超薄 ”閘極氧化層或磊 晶極為重要 粗糙表面將降低載子之移動性 防止遭受污染而非清除污染 RCA清洗溶液原始配方 步驟一  “Standard Clean 1 or SC-1”,由 5份去 離子水+1份 30%雙氧水 +1份 29%氨水組成之鹼 性過氧化物混合液，清洗完須以去離子水沖 洗(rinse) 有效清除晶圓表面塵粒吸附，氧化去除有 機物表層以利微量金屬脫附(Au, Ag, Cu, Ni, Cd, Zn, Co, Cr, etc) 持續生成並溶解氧化矽表層 RCA清洗溶液原始配方 步驟二  “Standard Clean 2 or SC-2”,由 6份去離子 水 +1份 30%雙氧水 +1份 37%鹽酸組成之酸性過氧 化物混合液，清洗完須以去離子水沖洗 (rinse) 3+ 3+ 2+ 溶解鹼金屬離子和 Al ; Fe 及 Mg 氫氧化物 與殘留金屬離子形成錯合物溶解於水溶液中 清洗完後會在矽晶圓表面形成水合二氧化矽保 護層 液相水溶液清洗溶劑 所有之水溶液清洗液都只是部份有效 大部份水溶液之清洗溶液清除了一種污染 物之後又會再增加另一類型之污染物 溶液 主要優點 主要缺點 2 SC1 去除輕微有機物，  沉積鹼土金屬離(Ca ⁺， 2 3 Mg ⁺，Al ⁺，etc.) (NH OH:H O :H O) 塵粒，一些金屬離 4 2 2 2  成長氧化層 子 去除金屬原子及離  無法去除有機物及塵粒 SC2(HCl:H O :H O) 2 2 2  成長氧化層 子 去除二氧化矽及一  造成塵粒沉積 DHF 些金屬離子與氧化  無法去除有機物及金屬原 子 物 液相水溶液清洗溶劑 所有的清洗步驟是彼此互補而必須妥協的 溶液 主要優點