c05化學清洗蝕刻工作站注意事項1.本區設備僅供半導體前段製程之.docVIP

C05化學清洗蝕刻工作站注意事項 1.本區設備僅供半導體前段製程之晶圓潔淨及濕式蝕刻作業使用；後段製程之相關作業，請至 NDL 10K 級，後段製程專用之化學清洗蝕刻工作站(C06)作業。 2.本設備爐管前清洗區：接受 4 吋及 6 吋作業；光阻區：接受 6 吋 作業；濕蝕刻區：接受 6 吋及 8 吋作業 3.本設備所使用之材料限制為： 清洗區：嚴禁破片、金屬材料、有機物、純鍺、矽鍺18％↑、玻璃、 High K、Low K 及 III/V族材料、NDL FAB 前段製程以外作業過之晶圓。 光阻區：嚴禁破片、金屬材料、純鍺、矽鍺18％↑、玻璃、High K、Low K及 III/V族材料、NDL FAB 前段製程以外作業過之晶圓。 濕蝕刻區：嚴禁破片、金屬材料、純鍺、矽鍺18％↑、玻璃、High K、Low K及 III/V族材料、NDL FAB 前段製程以外作業過之晶圓；另，熱磷酸槽，有機材料亦不得進入。 4.欲使用本區設備，可採代工服務或自行操作。自行操作者，需經合格訓練員（經機台考核通過者）訓練，並通過設備工程師考核通過後方可使用，嚴禁未經訓練及考核通過者，擅用本區設備。 5.欲使用本設備需先進行預約，除正常上班時段不開放預約外，夜間、假日均開放使用者預約自行操作，嚴禁預約不到，倘有無故預約不到之情事，依 ISO 90001 規範處理之。 6.正常上班時段為 NDL 代工組優先使用時段，倘若於 NDL 上班時段內需使用設備，須向代工組技術人員借用設備，嚴禁隨意使用，纍及正常代工作業，違規者，依 ISO 90001 規範處理之。 7.使用本區設備時應穿戴安全防護器具。應全程穿戴防酸、鹼圍裙，防酸、鹼手套及安全面罩，以維護作業時人身之安全。 8.本區設備所使用的藥品為無機類化學藥品，設備端提供之抽氣及廢液處理均為無機化學藥品專用。切不可將有機類藥品（如：丙酮、異丙醇、液態光阻 ?)拿至本設備區操作與調配。 9.當有特殊製程需求時，需先向設備工程師提出申請與討論，經核准後方可作業或送件委託服務。 10.本設備僅提供廠務端化學品中央供應系統供應之化學藥品，分別為：硫酸（H2SO4 96％）、鹽酸(HCl 31％)、氨水（NH4OH29％）、雙氧水（N2O2 36％）、氫氟酸（HF 49％）；其餘化學品均不提供。 11.爐管前清洗區、光阻區、金屬層去光阻區，所屬之真空吸筆、晶舟、晶舟提把、晶圓旋乾機，因潔淨度等級有所不同，故不得交叉使用。 12.光罩上光阻去除所用之硫酸槽與一般製程用光阻去除硫酸槽不得共用，因恐有鉻(Cr)金屬污染。 13.光罩之清洗，由委託服務作業，不開放自行操作，以免影響光罩正常出貨時程。 14.金屬層蝕刻後之光阻去除，不開放自行操作，由委託服務作業。 15.金屬層蝕刻後之光阻去除，不得進入一般製程用光阻去除硫酸槽;除硫酸溶液會蝕刻金屬外，亦會將前段製程專用之硫酸槽污染。 16.熱磷酸槽因為6吋製程與8吋製程共用之化學槽，故由委託操作，不開放使用者自行操作。 17.對於 In-line 污染物之檢測，在NDL 可以用到下列機台： 1.晶圓表面之微塵粒：表面污染分析儀(Surface Scen） 2.晶圓表面之金屬污染物：全反射式 X 光螢光光譜儀(TXRF） 3.晶圓表面之有機污染物：熱脫附常壓游離質譜儀（TDS) 4.晶圓表面之粗糙度：原子力顯微鏡（AFM) 18. 機台端備有本區所使用化學品之物質安全資料表(MSDS)，每一化學品之相關資料均可由此取得。若對所使用之化學品仍有任何疑慮時，請聯絡設備工程師。 19.不鏽鋼工作桌下方置物盒內備有石蕊試紙，供操作檯面、防酸、鹼手套、圍裙、面罩，沾附不明液體測試時使用，判讀方法可參照該試紙包裝外殼。 20.在作業過程中發生化學品危害時，請立即至本設備後方之緊急沖淋器，使用急救設施及急救藥品；在10級之離子佈值機（E500）後方、5樓化學實驗室內，均備有相同之急救藥品即設施，2樓醫務室亦備有較大容量之藥品。 21.急救設施之使用方法如下：(設備端有相關使用標示） 沖身洗眼器： 在水中脫去無塵衣物及相關配件，用力拉下拉，環花灑水頭即會出水。將臉部靠進附屬面盆，其出水龍頭即可供洗眼部，另配有噴槍，供局部小面積危害使用。 22.急救藥品使用置放處、分類、使用方法如下： (1)急救藥品置放於本設備後方緊急沖淋器內部。 (2)急救藥品使用分類： a.六氟靈：供含氟酸類的藥品沾附急救用(如：HF、B.O.E.7:1等溶液） b.敵腐靈：供一般酸、鹼沾附急救用（如：H2SO4、HCl、NH4OH等溶液） c.葡萄酸鈣軟膏:供含氟酸類的藥品沾附身體部位急救用，但切勿塗抹於眼部，以免導致眼睛鈣化而致失明。 (