前段8吋化學清洗蝕刻工作站設備簡介前段8吋化學清洗蝕刻工作站.docVIP

前段 8吋 化學清洗蝕刻工作站設備簡介 前段 8 吋化學清洗蝕刻工作站，為國內廠商所生產之半自動化學清洗機，共計配置5個化學槽及5個附屬快沖槽；其中 4 個化學槽及其附屬快沖槽，適用於高溫及高真空製程前之 8 吋晶圓清洗作業。另配有一化學槽及附屬快沖槽，適用於前段薄膜圖形蝕刻後之光阻去除作業。 本設備適用於標準 8 吋 Si 晶圓清洗及光阻剝除；其中， 清洗區：嚴禁破片、金屬材料、有機物、純鍺、矽鍺18％↑、玻璃、 High K、Low K 及 III/V族材料、NDL FAB 前段製程以外作業過之晶圓進入。 光阻區：嚴禁破片、金屬材料、純鍺、矽鍺18％↑、玻璃、High K、Low K 及 III/V族材料、NDL FAB 前段製程以外作業過之晶圓進入。 本設備以機械手臂進行單一製程槽與其附屬快沖槽間之傳送，使用者僅需將晶圓置妥在晶舟內，並在製程控制區螢幕上點選所使用的製程條件，再由手臂運作區進行機械手臂之操控點選，即可依程序完成該製程槽及快沖槽之作業。而後可依製程需求進行其他清洗步驟或進行晶圓乾燥。 本設備以定量幫浦計量入料，故能提供精準之化學品濃度配製；使用機械手臂進行晶圓之傳送，故能提供高潔淨度及高安全性之作業環境；以高效率之PCL 模組進行人機驅動，故能提供高自動化之設備運轉模式。 對於晶圓清洗後表面之殘存化學品處理，能提供高阻值及純淨之去離子水進行清洗，也因配有靈敏之水阻值計，對於晶圓清洗後之廢水回收與再利用更有助益。 前段 8 吋化學清洗蝕刻工作站，設備配置說明： 1.本設備所使用的化學藥品計有：硫酸（H2SO4 96％）、鹽酸(HCl 31％)、氨水（NH4OH29％）、雙氧水（N2O2 36％）、氫氟酸（HF 49％），以上藥品均由廠務端化學品中央供應系統供應再輸送至設備端，由設備自動調配製程所需濃度，用以提供安全、潔淨及穩定之製程條件。 2.設備上方提供 3 個進氣源，經高度潔淨過濾（ULPA）後,送至設備製程區；製程區的廢氣再由設備上方配有之酸、鹼、氟系化學品抽氣管路連接至廠務端之廢氣處理系統。 3.本設備其電控系統使用之 PLC 螢幕輸出，採中文/英文共用人機介面操控；使用者得選用易於操作及判讀製程資訊之介面。 4.設備後方，分別配有：鹽酸、氨水、雙氧水、氫氟酸,之化學品緩衝槽，當緩衝槽液位不足時，設備端將自動向廠務端供應系統索取化學品補