c轴取向zno膜的性能研究及滤波器初步设计.pdf

摘 要 Zrlo材料是一种II．Ⅵ族宽禁带的多功能半导体光电材料，在紫外发光管和激光 器、紫外探测器、透明导电电极和高频声表面波器件等领域都具有广泛的应用，所 以一直备受研究人员的关注。本论文应用射频磁控溅射法为基础制备了高c轴取向 ZnO薄膜，系统地研究了氩氧比、退火温度、靶基距和溅射气压等溅射参数对盈。 薄膜的微结构、光学和电学性能的影响规律，并在此基础上对声表面波滤波器的设 计和制作进行了初步的探讨性研究。 通过对不同溅射参数下办O薄膜的晶体结构和显微结构的研究，确定了制备声 表面波滤波器用zn0薄膜的最佳工艺参数。此条件下制备的zllO薄膜具有高c轴取 向，晶粒形状规则、大小均匀，薄膜结构致密、无孔洞、表面平整，内应力小。这 种znO薄膜能够满足声表面波滤波器用Z110薄膜的技术指标。 在光学性能方面，采用“包络法”(Envelopcmethod)计算了z110薄膜的折射率、 消光系数及禁带宽度等光学常数，讨论了光学常数随溅射参数的变化规律及其作用 机理。揭示了办O薄膜光致发光的紫外发射带、紫光带和蓝光带的发射机制，研究 了溅射参数对znO薄膜光致发光特性的影响规律，应用拉曼光谱分析了zIlo薄膜的 相结构和内应力变化。实验结果表明：采用最佳工艺参数制备的盈O薄膜折射率 1．997，消光系数0+0487，内应力O．053GPa，其缺陷最少。 在电学性能表征方面，测量、计算了办O薄膜相对介电常数、介电损耗、漏电 流和电阻率，研究了其相对介电常数、介电损耗随溅射参数的变化及其漏电流电导 机制和电阻率特性。测试结果表明；zno薄膜相对介电常数受溅射工艺参数的影响 较大，而介电损耗的变化不十分明显，其值在0．005～O．01之间波动；薄膜样品处于 弱外场中时，具有欧姆传导特征，而处于中、强场时，具有空间电荷限制传导(scLc) 模型的特征。采用最佳工艺参数制备的zIlO薄膜，在频率f=600KHz条件下的相对 之间变化；电阻率为9．276×1d7Q·cm。 在器件的设计与制作方面，首先简要论述了声表面波滤波器的工作原理及其设 计思想，详细讨论了IDl脚／Si02结构滤波器制备的工艺流程。然后对叉指换能器 的制作工艺进行了研究，最终采用剥离技术使用剥离胶制作了声表面波滤波器叉指 电极，金相显微镜观测结果表明：叉指电极表面平整、边缘整齐、线条清晰、完好， 没有发生连指断指等情况，取得了比较好的效果。 关键词：舀lo薄膜，微结构，光学性能，电学性能，声表面波滤波器 Ⅱ ABSTRACT Z舯O，adircctwide-bandseTniconductor material，hasreceived gap optical—elcctronic attemionfofthe ofunraviolet grcat appHcation hser’unra稍01et 10w-bss sur白ceacoustic eta1．Int11is elcctrode，柚dhi曲-丘equency wave(sAw)devices c-缸isoricntedzIlOttlinfilmshave beenobta洒ed p印erh远h byradi0雠quency e脏ctsof mgnet啪sputter啦systemdesigned白rSAw印plication．111eprocess the a11delectronic ofZIlOtllin paramete体onmicrostructllre，optjcalpropenies p∞penics 6lmsllaVe