gan生长中氮工艺及gamnn薄膜生长研究.pdf

大连理工大学硕士学做论文 摘 要 毪斛材辩因为其禁带宽发大、电子漂移铤鞍潦度高、夯龟常数小、导热性能好等特 点，在微融予和光电子领域具有十分广阔的应用优辫和发展前景。 宝石(A1203)牵壹赢土摸索GmN努矮多}延麓始生长工芑，并且对氮纯豹王芝参数遵幸亍选择 和优化。 上生长GaN缓冲层。主要优化了氮化温度和氮气流量等工艺参数。灾睃中采用了氢氮 混合等离予体溥洗的方法，撼藤了溥洗的质量。邋避缓冲层的高戆魄予街射蓬(RHEED) 鲍努撰，辩国醛熬蠡纯王兹参数逡行了往纯。魏矫，襞稍果弱X黪绫鬻射汹)表表 征缓冲屡瀚结构，用原子力显徽镜(AFM)来表征缓冲层的表面形貔。实验结果表明，邋 过优化的工缓参数，我们在藏窳石衬底上获得了晶质良好的缓冲层。 手厅。RHEED图像呈现清靳熬溅赢状点阵，表溺GaMmN磐延屠为肇繇，薄貘不是缀乎 整，显示出三维岛状生长模斌；电子探针分析表明薄膜中掺入了一定禽漂的Mn离子； 原子力显微分析表明，GaMBN薄膜是由许多亚微米爨级的晶粒按一皴的取向规则堆砌 而成的；)(射线衍射分析表明薄膜为六方结构，倾向予c轴方向生长，举鼎性良好。 关键溺：GaN；氮纯；缓捧瀑：GaHnN；ECR-PFJOCVD GaN嫩妖中氮化工艺及G枷nN薄膜生长研究 ofthe nitration inGaN andthe Study processinggrowth growth ofGaMnN手ilm Abstract materialshavethe wide 0d characteristicsof band saturationdrift gap,hi盛electron dielectricconstantand thermal have velocity,low good conductivity．Theywid君potential and infieldsofmicroelectronicsand applicationdevelopment optoelectronics． workis This NatureScienceFundationofChinaof‘2he of supportedby growth GaN dotsstructuresECR—PEMOCVDandits self-organizedquantum by initial ofGaN on 。融thispaper，thegrowth hetero-epitaxyA1203 technology was substrateis onESPD-Uwhich inoBr gropedbyusing嚣C融刊lMoeVD developed the ofnitridation and lab，and are sele