层状铋系铁电材sbt的掺杂改性.pdf

摘 要 铁电存储器是一种利用铁电材料的两种不同极化状态存储数据的存储器，具有非易 失性(失去驱动电压后还能保存记忆)、抗辐射、持久性、高存取速度、低功耗等优点。但 是，铁电薄膜存储器的研制也有很多困难。典型的如经多次翻转后剩余极化的降低f疲 劳)使得铁电薄膜存储器难阻实用化。近年来，Bi系层状铁电材料因其优良的抗疲劳特 性引起了人们的广泛注意。在Bi系层状铁电材料中，SBT是研究得比较多的一种，但它 也具有致命的弱点，如剩余极化小，制备温度高。为了改善SBT薄膜的铁电性质，研究 人员做了大量的工作，本论文的工作也将集中在此领域： 一种各向异性的材料，极化主要集中于a轴方向，因此，制备具有极化方向择优取向 的SBT薄膜是提高薄膜剩余极化的有效方法。在我们的实验中，我们发现随着薄膜厚度 表明，与4—9层薄膜相比，在同样的电场下，10层薄膜具有大得多的剩余极化。我们尝试 从晶体结构的角度，解释了随着层数增加，薄膜200择优取向增强的现象。 2．研究了不同Nb含量的La、Nb共掺杂的SBT薄膜的性质，结果发现，薄膜的剩余 极化随Nb含量的上升先上升后下降，在x=0．3时达到最大值。而薄膜的矫顽场与Nb含量 之间呈现-3十倒W关系。综合考虑薄膜各种性质，我们发现La掺杂量为0．1，Nb掺杂量 为0．25的薄膜具有最优异的性能。 顽电场降低。La掺杂SBT比不掺La的SBT具有更好的化学稳定性。从而具有更好的可靠 性。La／Nb共掺杂可有效地改善sBT薄膜的性能(更高的剩余极化，更低的矫顽电场，更 好的可靠性1。 4．Pr是另一种稀土元素，它具有跟La元素相似的性质，研究发现Pr／Nb其掺杂 和La／Nb共掺杂在改善SBT薄膜性能方面作用类似，二者均是有效的改善SBT薄膜铁电 性的方法。 关键词：铁电薄膜，锶铋钽(SBT)，金属有机物分解法，掺杂工程，P“mlal2光谱，电 滞回线，漏电特性，印刻特性 中圈分类号：TN304 Abstract Ferroelectricrandomaccess a thatusesthetworeverse memory(FRAM)is memory statesofferroelectricmaterialfor polarization data hasthose as storage，It advantages non-volatility,radiationhardness，highspeed，lowpower are alsosomedifficultiesin the the endurance．Inrecent developing FRAM，especiallyfatigue ferroelectricmaterialhasattractedresearches years，thelayered-bismuth many according toitsexcellent ferroelectrics．SBTthinfilms fatigue resistance．Amongbismuth～layered 8xethemost studied．Thesethinfilmsllaveshowna characteristic intensively fatigue-free to10”switches．Excellent up radiationhardness