Ohmic contact properties of p-type surface conductive layer on H-ter- minated diamond films prepared by DC arc jet CVD.pdfVIP

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2016-02-28 发布于天津
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Ohmic contact properties of p-type surface conductive layer on H-ter- minated diamond films prepared by DC arc jet CVD.pdf

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InternationalJournalofM inerals，M etallurgyandM aterials V~ um e 20，N um ber 8，August2013，Page 802 DOI：10．1O07／s12613一O13-0799-z Ohm iccontactpropertiesofp-typesurfaceconductivelayeronH-ter— minateddiamondfilmspreparedbyDCarcjetCVD Jin—longLiu) Cheng—mingLi) Rui—huaZhu) Liang—xian Chen) Jing-jingWang2)，and ，，，， Zhi—hongFenf) 1)SchoolofMaterialsScienceandEngineering，UniversityofScienceandTechnologyBeijing，Beijing100083，China 2)ScienceandTechnologyonASICLaboratory，HebeiSemiconductorResearchInstitute，Shijiazhuang050051，China (Received：11December2012；revised：1April2013；accepted：7April2013) Abstract：W iththeadvantagesofhighdepositionrateandlargedepositionarea，p01ycrystallinediamondfilmsprepared bydirectcurrent(DC)arcjetchemicalvapordeposition(CVD)areconsideredtobeoneofthemostpromisingmaterials forhigh-frequency and high—powerelectronicdevices． In thispaper，high—qualityself-standingpolycrystal1inediamond filmswiththediameterof100mm werepreparedbyDC arc{etCVD，andthen theP—typesurfaceconductivelayer withthesheetcarrierdensityof10 一10 cm一 ontheH—terminateddiamondfilm wasobtainedbymicro—wavehydrogen plasmatreatmentfor40min．Ti／AuandAufilmsweredepositedontheH—terminateddiamondsurfaceas theohmic contactelectrode，respectively,afterwards，theyweretreatedbyrapidvacuum annealingatdifierenttemperatures．The propertiesofthesetwotypesofohmiccontactswereinvestigatedbymeasuringthespecificcontactresistanceusingthe transmissionlinemethod(TLM)．DuetotheofrmationofTi—relatedcarbideathightemperature，thespecificcontact resistanceofTi／Aucontactgraduallydecreasesto9．95×10一。Q．cm asthetemperatureincreasesto820。C．However． whentheannealingtemperaturereaches850。C，theohmiccontactofrTi／Auisdegradedsignificantlyduetothestrong di肌 sionandreactionbetweenTiandAu．Asofrtheas—depositedAucontact．itshowsanohmiccontact．Afterannealing treatmentat550。C，low specificcontactresistancewas detected