化学浴沉积方法制备硫化铟敏化太阳电池及其性能研究.pdfVIP

物理化学学报(WuliHuaxueXuebao) January Aeta尸 ．-Chim．Sin．2013，29(1)，89-94 89 [Article] doi：10．3866／PKU．WHXB20121l092 www．whxb．pku．edu．cn 化学浴沉积方法制备硫化铟敏化太阳电池及其性能研究 朱 俊’ 张耀红 胡林华’ 戴松元 (中国科学院等离子体物理研究所，中国科学院新型薄膜太阳电池重点实验室，合肥230031； 中国科学院福建物质结构研究所，中国科学院光电材料化学与物理重点实验室，福州350002) 摘要： 硫化铟是一种稳定、低毒性的半导体材料．本文采用低成本的化学浴沉积方法制备了硫化铟敏化太阳 电池，X射线衍射 (XRD)、光电子能谱(XPS)和扫描电镜(SEM)结果表明形成了硫化铟敏化的二氧化钛薄膜．化 学浴沉积温度对所得硫化铟敏化薄膜的形貌有显著的影响，进而影响电池性能．温度太低时，化学浴沉积反应 速率太低，只发生少量沉积：温度太高时，化学浴沉积反应速率较快，硫化铟来不及沉积到二氧化钛多孔薄膜内 部．当温度在40。C时，硫化铟沉积均匀性最好，薄膜的光吸收性能最佳，电池的短路电流最大。另外，填充因子 达到最佳，为65％，电池总体光电转换效率为0．32％． 关键词： 硫化铟：敏化：太阳电池：化学浴沉积： 复合 中图分类号： 0646 PreparationofIn2S3SensitizedSolarCellswithChemicalBath DepositionandTheirPerformance ZHUJun’ ZHANG Yao—Hong’一 HULin—Hua’ DAISong-Yuan’ KeyLaboratoryofNovelThinFilmSolarCells．InstituteofPlasmaPhysics．ChineseAcademyofSciencesHefei230031．PR China；2KeyLaboratoryofOptoelectronicMaterialsChem~tryandPhysics．FujianInstituteofResearchontheStructureof Matter,ChineseAcademyofSciences．Fuzhou350002, R．China) Abstract： ln2S3iSastablesemiconductormateria1with IOW toxicity．W epreparedIn2S3sensitizedsolar cellsusinglow-costchemicalbathdepositionmethodology．X-raydiffraction(XRD)，X-rayphotoelectron spectroscopy(XPS)，andscanningelectronmicroscopy(SEM)wereusedlOreveaIthemicrostructureof theln2S3sensitizedTiO2nanoporousf¨ms．OUFresultsindicatedthatthedepositiontemperaturehasa remarkableeffectonthemorphologyofIn2S3sensitizedTiO2fiIms，whichinturnaffectsthephotovoltaic performanceofdevices．W henthedepositiontemperaturewasIOW，thedepositionreactionratewasslow。 resultinginonlyminima