半导体导电性资料.ppt

总结 热平衡态： 无外界作用 有统一的费米能级 有确定的载流子浓度n0、p0 非平衡态： 有外界作用 无统一的费米能级（准费米能级） 总结 Ec Ev 产生 复合 n p 直接复合 小注入时 （n型） （p型） （1）寿命不随注入程度变化 （2）寿命与温度和掺杂有关 总结 间接复合 Ec Ev 甲 乙 丙 丁 Et 跃迁前 Ec Ev Et 跃迁后 小注入时 总结 一维面扩散 稳态扩散方程： （1）样品非常厚： （2）样品厚度为有限值： 总结 三维径向扩散 总结 爱因斯坦关系 连续性方程 一维平面扩散 样品无限厚时稳态扩散方程的解 边界条件： 解出： 一维平面扩散 非平衡载流子的平均扩散距离： 空穴扩散长度，反映了非平衡载流子因扩散而深入样品的平均距离。 空穴的扩散流密度： 空穴的扩散速度 一维平面扩散 样品厚度为W，且在另一端全部抽出时稳态扩散方程的解 边界条件： 解出： y=shx=(ex-e-x)/2 (双曲正弦） 当WLp时： 一维平面扩散 浓度梯度： 扩散流密度： 是常数，表明没有复合：非平衡载流子来不及复合就扩散到了样品的另一端。 在晶体管中，基区宽度一般比扩散长度小很多，从发射区注入的非平衡载流子在基区的分布近似复合上述情况。 一维平面扩散 （3）p型半导体中的非平衡电子 电子的扩散流密度： 稳态扩散方程： 一维平面扩散 （4）扩散电流密度 空穴的扩散电流密度： 电子的扩散电流密度： 球形（径向）扩散 三维探针注入：探针尖陷入半导体表面形成半径为r0的半球面 探针注入 r0 用球坐标表示 方程的解 球形（径向）扩散 在边界处，沿径向的扩散流密度： 一维平面扩散，注入面的扩散流密度： 复合引起的扩散（扩散速度） 几何形状引起的扩散 径向扩散比平面扩散效率高。平面情况下，浓度梯度完全依赖载流子进入半导体内的复合；在球形对称时，径向运动本身就引起载流子的疏散，造成浓度梯度，增强了扩散的效率。 当r0Lp时，几何形状所引起的扩散效果非常明显，远超过复合所引起的扩散。 六、爱因斯坦关系式 均匀半导体 n型半导体加以均匀电场E；表面处光注入产生非平衡载流子 运动方向 电流方向 平衡载流子漂移 运动方向 电流方向 非平衡载流子漂移 运动方向 电流方向 非平衡载流子扩散 光 照 均匀半导体 电子的总电流密度： 空穴的总电流密度： 半导体内的总电流密度： 非均匀半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 平衡载流子漂移 无外界作用时，半导体内存在浓度梯度，使平衡载流子产生扩散运动： 由于电子扩散，在半导体内产生静电场，使载流子产生漂移运动： x 平衡载流子扩散 内建电场 非均匀半导体 在热平衡条件下，半导体中部存在宏观电流，电场的方向必然反抗扩散电流，使平衡时电子的总电流和空穴的总电流分别等于零： 得到： 非均匀半导体 非均匀半导体中出现自建电场时，电势是x的函数为V(x)，导带底的能量也是x的函数为[Ec-qV(x)]，非简并条件下，电子浓度为： 对于空穴： 爱因斯坦关系式，表明非简并条件下载流子迁移率和扩散系数之间的关系。 爱因斯坦关系式可直接应用于非平衡载流子； 爱因斯坦关系式可直接用于外加电场的情况； 爱因斯坦关系式仅适用于非简并半导体。 非均匀半导体 非均匀半导体（光注入产生非平衡载流子、存在外加电场） 半导体中同时存在扩散和漂移运动时的电流密度方程式 非均匀半导体 ?n(cm2/V?s) ?p (cm2/V?s) Dn (cm2/s) Dp(cm2/s) Si 1400 500 35 13 Ge 3900 1900 97 47 室温时：(k0T)/q=(1/40)V 七、连续性方程 连续性方程 连续性方程——扩散和漂移同时存在时，少子所遵守的运动规律。 (1) n型半导体 (2) x方向电场 (3) 光注入非平衡载流子 dV内空穴的变化 （1）扩散造成的空穴积累： （2）漂移造成的空穴积累： （3）空穴产生率： （4）空穴复合率： 连续性方程 连续性方程 空穴浓度随时间的变化率为： p型半导体中电子浓度随时间的变化率为： 连续性方程 稳态连续性方程：载流子浓度的变化不随时间变化 连续性方程 连续性方程： 电流密度： 连续性方程的应用 （1）光激发的载流子的衰减 条件： 光照在均匀半导体中均匀产生非平衡载流子： 无电场： t=0时刻，停止光照： gp=0 非平衡载流子衰减时遵守的微分方程 连续性方程的应用 （2）瞬时光脉冲 条件： 局部的光脉冲照射均匀半导体 无外加电场： t=0时刻，停止光脉冲 gp=0 光脉冲停止以后，注入的空穴由注入点向两边扩散，同时不断发生复合，峰值随时间下降。 t=0 t=t1.0 t=t2.t1 t=t3.t2 连续性方程的应用 （3）载流子脉