变化的电磁场资料.ppt

* 三、互感线圈的磁能 开关K1、K2闭合后，两线圈中的电流 i1 , i2 逐渐增大，达到稳态时为?1 , ?2 。 ①先闭合K1，使i1从0增至I1，此过程 储存自感磁能为 ②再闭合K2，且调节R1使I1不变，（则线圈2中无互感）i2由0 增至I2 ，此过程储存自感磁能为 此过程在线圈1中产生互感电动势为： ?1 必须反抗这 而做功，转化为互感磁能贮存于磁场中： 即互感磁能大小为 * 自感磁能永为正；互感磁能可能为正(两线圈的磁场互相加强)，也可能为负(磁场互相减弱)。 注意： 一般地，互感线圈磁场中的总磁能为： 若先合上K2，再合上K1，有相同结论。 总磁能： * §17.6 位移电流 静电场： 稳恒磁场： 电磁感应： 静电场、稳恒磁场、电磁感应基本实验规律 * 一、位移电流 麦克斯韦关于电磁场的两条基本假设 1、感应电场假设： 变化的磁场产生电场—感应电场。 由此式及静电场环路定理得一般电场的环路定理： 问题：变化的电场能否产生磁场呢？ 麦克斯韦从推广安培环路定理出发，通过提出位移电流假设，回答了这一问题，从而建立了完整的电磁场理论。 * （1）非稳恒电流的不连续性及安培环路定理遇到的困难 2、位移电流假设 在图示的不含有电容器的闭合电路中，传导电流是连续的。因此，由稳恒电流磁场的安培环路定理可知： I0 --- +++ 相互矛盾 考虑含有电容器的电路： * 矛盾产生的原因：由于在非稳恒电路中传导电流是不连续的。 在非稳恒电路中代替安培环路定理的普遍规律是什么呢？ 解决上述矛盾的办法： A. 在大量实验基础上，提出新概念，建立新理论。 B. 在原有理论的基础上，提出合理假设，对原有理论 做必要的修正，用实验检验假设的合理性。 麦克斯韦采用了后者。 * 设电容器放电过程的某一时刻， 板A内表面： 板B内表面： 传导电流： 板内传导电流密度： 在放电过程中，σ 随时间变化。 且 也随时间变化。 二者随时间的变化率： 比较得： 板间 在数值上等于板内的传导电流。 板间 在数值上等于板内的传导电流密度。 且 的方向与 的方向相反，与传导电流密度的方向相同。 （2）位移电流假设提出的依据 * （3）位移电流的定义 定义： 位移电流 位移电流密度： 全电流： 全电流在任何情况下都是连续的，并且构成闭合回路。 位移电流与传导电流连接起来恰好构成连续的闭合电流。 麦克斯韦提出全电流的概念 注意 二、全电流定律 * 麦克斯韦将安培环路定理推广: (全电流定律) 若传导电流为零 对比 位移电流假设的实质：变化的电场激发有旋磁场。 前述矛盾得到了解决 小结： ② 磁场增加时，激发的电场是左旋的。 电场增加时，激发的磁场是右旋的。 ① 变化的磁场激发有旋电场，变化的电场激发有旋磁场。 在位移电流假设基础上所导出的结果，都与实验符合得很好。 * 三、位移电流与传导电流的异同: 相同点： 都在周围空间产生磁场，且都服从安培环路定理。 不同点： ③ 存在的场合：传导电流仅存在于导体内。 位移电流可存在于导体、介质、真空中。 低频时，导体中以I0为主；高频时，导体中 以Id为主。介质内部主要是Id。 ① 形成原因：传导电流是由电荷的定向移动形成的。 位移电流是由变化的电场形成的，并不伴随 电荷的运动。 ② 热效应：传导电流产生热效应，且服从焦耳定律。 位移电流不产生焦耳热，但在介质中高频时也 有热效应，但不遵从焦耳定律。 在充满变化磁场的空间，同时也充满变化的电场，于是形成变化的电磁场。 * [例1]圆形平行板电容器，极板半径为Ｒ，沿极板轴线的长直导线 内通有交变电流，设电荷在极板上均匀分布σ=σ0 sinωt， 且忽略边缘效应，求：1) 极板间的位移电流密度； 2) a , b 处的磁感应强度大小 。( r R ) 对于a点： * * 要注意理解每个方程的物理意义 (1)在任何电场中，通过任何闭合曲面的电位移通量等于该闭合曲面内自由电荷的代数和。 (3)在任何磁场中，通过任何闭合曲面的磁通量恒等于0。 (2)一般地，电场强度E 沿任意闭合环路的积分等于穿过该环路所包围面积的磁通量随时间变化率的负值。 (4)磁场强度H沿任意闭