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第 33卷 第 10期 发 光 学 报 V01．33 No．10 2012年 10月 CHINESE JOURNALOF LUMINESCENCE 0ct．．2012 文章编号：1000—7032(2012)10—1084-05 外延在蓝宝石衬底上的非掺杂 GaN研究 李影智，邢艳辉 ，韩 军，陈 翔，邓旭光，徐 晨 (北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室，北京 100124) 摘要 ：采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜，~(O0O1)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技 术制备了不同样品，并借助x射线双晶衍射仪 (XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD (0002)面和(1012)面测试均表明TMGa流量为70am ／min时样品位错密度最低。利用该 TMGa流量进一步 制备了改变生长温度的样品。XRD和PL谱测试结果表明，提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和