niti形状记合金薄膜在mems中应用的相关基础研究.pdf

N汀i形状记忆合金薄膜在MEMS中应用的相关基础研究 捅璺 人们关注。因其具有可恢复应变大、输出应力高、驱动电压低、生物相容性好等显著 优点，Nm薄膜已成为MEMS微驱动器中最具应用潜力的驱动方式之一。但是为了 实现器件的实用化，有些相关基础问题尚需研究。 本文首先通过室温溅射方法制备了Ni啊薄膜，并采用电阻温度曲线、拉伸、鼓 气、纳米压痕等多种分析方法，对近等原子比N讯薄膜的超弹性特性进行了研究。 结果表明：拉伸法，鼓气法和压痕法均能较为直观地表达出各种状态下薄膜的超弹 性特性和相应的力学参数，其中鼓气法由于受力状态与实际应用中的薄膜最为相近， 因此可以真实地反映驱动器薄膜的力学性能。 其次讨论了Nm薄膜的热相变特性。结果表明：原位晶化可以直接获得具有相 变特性的晶化薄膜，从而避免了高温热处理带来的不利影响，并简化了工艺。通过控 制溅射工艺可获得具有不同相交特性的SMA薄膜，本文中应用于徼器件的最佳制备 工艺为：原位加热300℃，溅射功率200w，Ar压力6×10一‘rorr。 在采用XRD和极图分析方法讨论了薄膜中织构的形成及影响因素后，本文还用 Matlab软件计算了薄膜的相变应变，并结合实际情况进行了算法改进。织构分析表明： 原位晶化制得的薄膜具有较强的A