pdp驱动芯片高性能高压电路设计.pdfVIP

摘要 PDP高压驱动芯片分为列寻址芯片和行扫描芯片，一般输出电压在60V。200V的范围内，单路 的最大驱动电流从40mA到1A不等。由于芯片的功耗大，工作时会产生大量的热量，使芯片的温 度升高，影响芯片内功率器件的各种特性，进而影响到芯片的性能。因此要设计更加可靠和稳定的 芯片，降低功耗是重中之重。特别是随着显示图像质量的提高，以及平板显示器尺寸的增大，使得 驱动芯片的工作频率不断提高，功耗也就随之增大，低功耗方面的设计就显得尤为重要。 高压电路是高压驱动芯片的核心，高压电路的功耗占整个芯片自身总功耗的90％以上，并且直 接驱动PDP屏负载。因此如何降低芯片的自身功耗，提高芯片的性能，高压电路的设计是首要的着 手点。本文主要包括以下三方面内容：首先建立了精确的高压器件模型，用来对高压电路进行仿真 和参数设计；接下来设计了新型高压电路结构，该结构能够有效降低芯片自身功耗；最后是PDP驱 动芯片的版图，这里不但设计新型高压电路版图，也研究了避免场开启和闩锁等可靠性问题。 通过在体硅1．5ttm标准CMOS工艺线上流水试验，证明本文所设计的高压器件模型精度在95％ 以上，高压驱动电路结构比传统电路结构功耗降低20％左右。最终将使用该高压电路结构的行、列 驱动芯片用于25英寸高清晰荫罩式PDP，较好地实现了动态图像的显示。本文设计的高压电路结 构目前已申请了一项国