《在HCS08微控制器上使用FLASH存储器模拟EEPROM》.pdf

在HCS08 微控制器上 使用FLASH 存储器模拟EEPROM 飞思卡尔半导体北京分公司 师英 (jerry.shi@) 在微控制器应用的很多场合，EEPROM 被用来保存要求掉电仍然保持的数据，包括系统 配置数据、过程数据、测量或运算结果等。虽然HCS08 系列微控制器并不包含片上 EEPROM ，然而它所拥有的高性能FLASH 存储器可以方便地实现数据存储功能。在本文 中，提供了4 个封装好的函数来实现EEPROM 的模拟功能，屏蔽了复杂的底层操作，可以 很方便地集成到应用程序中去。 HCS08 微控制器片上FLASH 的性能 HCS08 的程序存储器为0.25um 工艺FLASH ，以512bytes 为一个页组织。表1 给出了 HCS08 片上FLASH 存储器的大部分特性。 特性 表示符号 最小值 典型值 最大值 单位 内部FCLK 频率 fFCLK 150 200 kHz 内部FCLK 周期 tFcyc 5 6.67 us 字节编程时间（随机地址） tprog 9 tFcyc 字节编程时间（突发模式） tburst 4 tFcyc 页擦除时间 tpage 4,000 tFcyc 全部擦除时间 tmass 20,000 tFcyc 字节编程电流 RIDDBP 4 mA 页擦除电流 RIDDPE 6 mA 编程/擦除寿命 10,000 100,000 次 数据保持时间 tD_ret 15 100 年 表 1：HCS08 微控制器片上FLASH 特性 更快的访问（读取，编程，擦除）速度 HCS08 微控制器片上FLASH 存储器的编程和擦除操作都以fFCLK 为基准时钟进行，它 的取值范围在150 kHz 到200 kHz 之间。假如fFCLK 被设置为200 kHz ，则编程一个字节的时 间为： 9 × (1/200 kHz) = 45 us 使用突发模式编程，每编程一个字节的时间为： 4 × (1/200 kHz) = 20 us 而擦除一页的时间为： 4000 × (1/200 kHz) = 20 ms 全部擦除的时间为： 20000× (1/200 kHz) = 100 ms 更多擦写周期，100,000 次 - 1 - 2006 年10 月10 日 Reversion 0.1 在室温下，HCS08 片上FLASH 存储器的典型擦写次数为10 万次。在全温度范围内，最 小值为1 万次。另外可以采用数学办法来循环使用FLASH 存储器的一个页面，从而成倍扩 展FLASH 的擦写次数。 内建