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RF Circuit Design: Theory and Application 福州大学通信工程系 许志猛 TOPIC 16 主要内容 混频器概述及其在系统中的应用 混频器主要性能指标 混频器基本原理 单端混频器设计 混频器概述 混频器是微波集成电路接收系统中必不可少的部件。不论是微波通信、雷达、遥控、遥感、还是侦察与电子对抗，以及许多微波测量系统，都必须把微波信号用混频器降到中低频来进行处理。 混频器是一个高度非线性器件，有3个端口：输入（RF），输出（IF），本振（LO）。 混频器概述 电路结构形式 单管式混频 单管混频只用一支二极管，结构简单，成本低，但噪声高，抑制干扰能力差，在要求不高处可以采用； 两管平衡式混频 平衡式混频器借助于平衡电桥可使本机振荡器的噪声抵消，因而噪声性能得到改善，电桥又使信号与本振之间达到良好隔离，因此平衡混频器是最普遍采用的形式； 多管式混频 多二极管的混频器，如管堆式双平衡混频器，镜频抑制混频器等是为特殊要求而设计的，可用于多倍频程设备、镜频能量回收或自动抑制镜频干扰等。 混频器的主要参数 工作频率 混频器是多频器件，除指明RF信号的工作频率之外，还应注意本振和中频频率的应用范围。 分支电桥式的集成混频器工作频带主要受电桥频带限制，相对频带约为10%~30% 加补偿措施的平衡电桥混频器可做到相对频带为30%~40%。 双平衡混频器是宽频带型，工作频带可达多个倍频程。 噪声 混频器紧跟低噪声放大器后面，属于接收机的前端，其噪声性能对接收机系统影响很大。 混频器噪声定义： 混频器的主要参数 混频器的主要参数 动态范围 动态范围是混频器正常工作时的微波输入功率范围。 下限通常指信号与基噪声电平相比拟时的功率，取决于混频器的噪声电平。 上限通常是指1dB压缩点的微波输入信号功率Pmax，也有的产品给出的是1dB压缩点输出中频功率。 混频器的主要参数 1dB压缩点 正常工作情况下，射频输入电平远小于本振电平，中频输出将随射频输入线性变化，当射频电平增加到一定程度时，中频输出随射频输入增加的幅度减慢，混频器出现饱和。 当中频输出偏离线性1dB时的射频输入功率为混频器的1dB压缩点。 对于结构相同的混频器，1dB压缩点取决于本振功率大小和二极管特性，一般比本振功率低6dB。 混频器的主要参数 3阶互调 如果有两个频率相近的微波信号?s1、?s2和本振?p一起输入列混频器，这时将有很多组合谐波频率，其中称双频交调分量。 当k = 2 + 1 = 3时是三阶交调，其中有两项： 当?s1和?s2相距很近时，?m3将落入中频放大器工作额带内，造成很大干扰。 这种情况在微波多路通信系统中是一个严重问题，如果各话路副载波之间有交叉调制，将造成串话和干扰。 混频器的主要参数 隔离度 混濒器隔离度是指各频率端口之间的隔离度，该指标包括三项： 信号与本振之间的隔离度 信号与中频之间的隔离度 本振与中频之间的隔离度 隔离度定义是本振或信号泄漏到其他端口的功率与原有功率之比，单位为dB。例如信号至本振的隔离度定义是： 混频器的主要参数 隔离度 LO-IF feedthrough：尽管可以通过滤波的方式抑制IF 端口的LO信号，但如果LO的功率很大仍有可能对微弱的中频信号形成阻塞，同时LO的噪声也将提高整体噪声系数 LO-RF feedthrough (馈通)：本振泄漏、自混频、信号阻塞(灵敏度退化) RF-LO feedthrough：有自混频现象，同时强干扰信号会影响本振的工作 混频器的主要参数 隔离度 信号至本振隔离度是个重要指标，尤其是在共用本振的多通道接收系统中，当一个通道的信号泄漏到另一通道时，就会产生交叉干扰。 信号至中频隔离度指标在低中频系统中影响不大，但是在宽频带系统中就是个重要因素了。 有时微波信号和中频信号都是很宽的频带，两个频带可能边沿靠近，甚至频带交叠，这时，如果隔离度不好，就造成直接泄漏干扰。 混频器的主要参数 隔离度 单管混频器隔离度依靠定向耦合器，很难保证高指标，一般只有10dB量级。 平衡混频器则是依靠平衡电桥。微带式的集成电桥本身隔离度在窄频带内不难做到30dB量级，但由于混频管寄生参数、特性不对称、或匹配不良，不可能做到理想平衡。所以实际混频器总隔离度一般在15~20dB左右，较好者可达到30dB。 混频器的主要参数 镜频抑制度 镜像频率是混频器与中频相对于LO对称的频率，经过变频，可能回落在中频信号上。 为了避免出现幅度可能大于RF信号的有害镜频信号，可以在混频器前面增加镜频滤波器来印制镜频的影响。 混频器的主要参数 混频器的主要参数 本振功率与工作点 混频器的本振功率是指最佳工作状态时所需的本振功率。 商用混频器通常要指定所用本振功率的数值范围，比如指定Pp = 1