PECVD车间工艺要点.pptVIP

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  • 2016-03-01 发布于湖北
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内容提要 等离子刻蚀: 等离子刻蚀原理 等离子体刻蚀机组成 等离子体刻蚀质量控制及检测 拟解决的问题 PECVD镀SiNx:H薄膜 PECVD镀膜技术 PECVD工作流程 SiN薄膜质量异常 拟解决的问题 等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应,使反应气体激活成活性粒子,如原子或游离基,这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位,在那里与被刻蚀材料进行反应,形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌 。(这是各向同性反应) 这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。 等离子刻蚀的基本原理 等离子刻蚀的基本原理 等离子刻蚀的基本原理 母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。 这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面,并在表面上发生化学反应。 生产过程中,CF4中掺入O2,这样有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率。 以及它们的离子 C F, CF, , CF , CF CF 2 3 e 4 ? ? ? * 等离子刻蚀机的组成 等离子刻蚀机的组成: 1、反应室 2、真空系统 3、送气系统 4、高频电源 5、匹配器 * 反应室: 里面是石英缸,外面 是线圈,线圈在高频 电的激发下起辉,产 生微波与石英缸内的 特气反应,生成活性 离子基。 等离子刻蚀机的组成 石英缸 线圈 * 真空系统: 采用机械泵抽

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