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第一章 1.载流子浓度、热载流子浓度 热平衡载流子浓度：导带上的电子： 价带上的空穴： 质量作用定律： 说明: 导带上电子浓度与价带上空穴浓度的乘积为常数, 仅仅取决于半导体的禁带宽度. 本证半导体的热平衡载流子浓度 导带上的电子浓度=价带上的空穴浓度 T=0K时, 费米能级 一般情况下, 费密能级 随温度升高, 费密能级逐渐增加.；绝对零度下的费米能位于禁带中央。 杂质半导体的热平衡载流子分布 n型半导体导带上的电子载流子浓度 温度很低时，费密能级 T=0K时, 费密能级位于导带底和施主能级的中央, 随着温度的增加, 费密能级逐渐增加.　与导带底的差值减小． 2.深浅杂质哪能级 杂质能级 杂质分类：按杂质提供电子或空穴: 施主和受主 按杂质在禁带中的位置: 浅能级杂质和深能级杂质 杂质能级:浅杂质能级和深杂质能级 ①定义: 施主能级与导带底能量相差很小(或受主能级与价带顶能量相差很小)时, 称为深杂质能级,反之则称为浅杂质能级. ②形成条件:杂质的化学价与半导体本体原子化学价的差为1时,形成浅杂质能级; 大于1时, 形成深杂质能级. 锗和硅的浅能级杂质为Ⅲ族和Ⅴ族杂质;深能级杂质是过渡族元素. ③某些情况下,一种杂质既可以形成施主,也可以形成受主,有时在锗、硅中掺入一种杂质可以形成若干个杂质能级. ④应用:浅能级杂质掺杂可以使锗和硅成为p型或n型半导体, 许多半导体器件均与半导体的浅能级掺杂相联系; 深能级杂质的浓度很低,对载流子浓度影响不大,但它们可以成为载流子的复合中心或俘获中心, 从而减少载流子的寿命. 快速开关器件中要求载流子寿命较短, 深能级杂质在此方面有重要应用. 3.n型半导体、p型半导体 施主掺杂与n型半导体：当向半导体中掺杂高价杂质时，杂质原子提供的价电子数目多于半导体原子，多余的价电子很容易进入导带而成为电子载流子，半导体的电导率也随之增加。这种提供多余价电子的掺杂称为施主掺杂。施主掺杂的半导体称为n型半导体。 受主掺杂与p型半导体：当向半导体中掺杂低价杂质时，杂质原子提供的价电子数目少于半导体原子，很容易在价带中形成空穴，半导体的电导率也随之增加。这种掺杂称为受主掺杂。受主掺杂的半导体称为p型半导体。 4.电导率及主要影响因素 半导体的电导率是由载流子的浓度和载流子的迁移率共同决定的. 主要影响因素： 【1】载流子浓度 本证半导体： 温度升高, 载流子浓度增加. 掺杂半导体： ①在低温区域，掺杂原子电离所产生的载流子占主导地位，这种电离所需要的热激活能是主能级与导带底部能级之间的能量差Ec-Ed，而掺杂原子的电离过程是掺杂能级上电子由定域态变为半导体自由电子状态的过程,随温度的升高而加强,掺杂原子的电离在100K时已接近100%. ②在较高的温度区域,价带受激发向导带提供的电子占据主导地位,掺杂半导体的载流子变化类似于本征半导体. ③在中间的一个温度区域内,掺杂原子已经完全电离,而本征激发所产生的载流子数量与电离产生的载流子相比,可以忽略不计时,载流子浓度保持不变. 【2】载流子散射 载流子在电场作用下的定向飘移运动受到两个因素制约: 一是载流子在电场下的加速运动, 另一个是载流子所受到的各种散射作用,这种散射运动改变电子的运动方向,使电子的加速运动受到限制,当两者达到平衡时,载流子获得了一个不变的平均定向飘移速度. 散射种类 ①电离杂质对载流子的散射: 当施主或受主杂质电离以后,杂质原子就成了带正电或带负电的杂质.当载流子运动到电离杂质附近时,就会受到电离杂质的散射,称为电离杂质的卢瑟福散射. ②晶格振动对载流子的散射作用:较复杂. 温度高,晶格振动强,散射强. 但温度高, 载流子浓度亦增加, 因此, 电导率仍增加. 【3】电阻率与温度的关系 电阻率等同于电导率, 受载流子浓度与载流子散射的影响. 本征半导体: 由于没有电离杂质的散射作用, 载流子浓度仅由本征激发所决定. 温度升高时,本征激发急剧增加, 载流子浓度也迅速增加. 因此, 本征半导体的电阻率随温度的升高而单调下降. 杂质半导体: 载流子浓度和散射 AB段: 杂质电离随温度升高而增加,散射较弱, 电阻率随温度升高而降低. BC段: 杂质电离完成, 本征激发较少, 载流子浓度不随温度变化, 散射随温度增加而增加,电阻率随温度升高而增加. C点后: 本征激发强烈, 载流子浓度随温度升高而增加, 浓度成了控制电阻率的主要因素,随温度升高而降低. 5.与温度有关的曲线（见上4） 6.载流子浓度散射（见上4） 7.电阻率与温度的关系（见上4） 第二章 1.光纤的几个参数及对应特性 光纤通信的特点： 光纤损