半导体制造技术--测量学和缺陷检查详解.pptVIP

Mar 15, 2005 Semiconductor Manufacturing Technology Chapter 7 – Measurement Defect Detection Vivian Tang 1 目标 为何进行集成电路测量, 并讨论与测量有关的问题。 认识集成电路制作中的各种质量量测。 描述不同质量测量相关的测技学方法和设备。 列出几种适合集成电路测量的分析仪器。 2 集成电路测量学 2.1 集成电路量测的重要工具--------控片 普通控片 图案化控片 控片用于制造过程测量相关重要特性以确保标准之品质，因此集成电路量测具其重要性，特别是借控片（Monitor Wafer) 可以了解制程参数的变化，以对工艺进行监控。 2 集成电路测量学 良率（%）=（可正常工作之晶粒÷制作之全部晶粒）×100% 2.2 成品率---良率（Yield） 良率是一个芯片厂生产高质量产品的重要标志 2.3 测量设备分类 2 集成电路测量学 2.4 质量测量规范 2 集成电路测量学 2.5 质量测量 高良率制程以制造可靠度元件之首要条件即为品质良好之薄膜.薄膜品质量测还包括表面粗糙度、反射率、密度、针孔与孔洞缺少的量测。 经常用四针探法的方块电阻（不透明的膜），椭偏仪（透明膜）和反射光谱来测膜的厚度。X射线和光声学是很少使用的方法。 2.5.1 膜厚度(Thickness) Rudolph Thickness EQ 反射光谱 2 集成电路测量学 2.5.2 膜应力(Stress) 高度区域性之薄膜应力(film stress)出现于晶圆表面之薄膜上，造成晶圆变形或是可靠度之问题。 应力可借由测量晶圆半径曲率之改变而得。通过测硅片的曲率可以确定硅片上的膜的压力。 四点探针法(Four-point probe) 四点探针技术可避免接触电阻的影响。 t (薄膜厚度)= ρ (薄膜电阻率) /Rs (方块电阻) ρs=V/I×2πs(Ω/cm) ρs:方块电阻的电阻率； V:通过探针的直流电压； I:通过探针的直流定流； s:探针之间距离； Rs= ρ/t =4.53*V/I （当薄膜够大而探针间距够小） 四点探针 2 集成电路测量学 2.5.4 掺杂浓度 晶圆之掺质浓度约在1010atoms/cm2至1018atoms/cm2。 四点探针法是最常用之同步测量技术，热波系统适于较小惨质剂量之测量。另外还有二次离子质谱仪（Second-ion mass spectrometry, SIMS)；扩展电阻探针（SRP）；电容-电压测试法。 2.5.3 折射率(Refractive index) 根据折射率之改变，可判断薄膜内之污染情况，另一方面不均匀之折射率将导致不正确的薄膜厚度测量。 薄膜之折射率可经由干涉仪与椭圆偏光仪之量测而得。一般用椭偏仪来测透明物质的折射率。 2 集成电路测量学 2.5.6 图案化表面缺陷（Patterned defects） 一般使用光学显微镜侦测图案化表面之缺陷,主要利用光散射技术或数位对比技术。 2.5.5 未图案化表面之缺陷（Unpatterned defects) 晶圆表面缺陷分析可分为两类：暗场和亮场的光学侦测。 亮场探测是用光学显微镜传统光源，它是借用反射的可见光测量硅片表面的缺陷。暗场探测检查位于硅片表面的缺陷散射出的光。 2 集成电路测量学 2.5.7 临界尺寸(Critical Dimension, CD) 闸极之宽度决定通道的长度。CD的变化量通常用来描述半导体之关键步骤的不稳定度。 用扫描电子显微镜(SEM)做关键尺寸的测量。 2.5.8 阶梯覆盖(Step coverage) 具有尖针的高解析度、非破坏性之表面轮廓仪（surface profiler) 能够测量表面阶梯覆盖与其它特征。 2.5.9 电容-电压测试（C-V test) MOS电晶体元件之可靠度直接受到闸极结构之氧化层控制，高品质的氧化层是获得高可靠度元件之基本条件之一。 2 集成电路测量学 2.5.10 接触角度(contact –angle meter) 主要测量晶圆表面液体之吸附与计算表面能量及吸附张力等 接触角度 滴状液体 基板 阶梯覆盖 顺形阶梯覆盖 非顺形阶梯覆盖 孔洞 2 集成电路测量学 K-T F5x K-T SP1 Veeco AFM K-T