电路基础与集成电子技术-4.4__硅稳压二极管及其稳压电路要点.pptVIP

4.4 硅稳压二极管 及其稳压电路 4.4.1 稳压二极管的主要参数 4.4.2 稳压二极管稳压电路 利用硅二极管反向击穿十分陡直，可以制作稳压二极管，从稳压二极管的伏安特性曲线可确定它的一些参数。 (1) 稳定电压VZ —— 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 4.4.1 稳压二极管的主要参数 图4.4.1 稳压二极管的伏安特性曲线 (2) 动态电阻rZ —— 其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性曲线上求取的。 rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 rZ =?UZ /?IZ (3) 最大耗散功率 PZM —— 稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时PN结的功率损耗为 PZM= UZ IZMAX (4) 最大稳定工作电流 IZMAX 和最小稳定工作 电流IZMIN ————— 稳压管的最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即 IZMAX = PZM/UZ 而IZMIN对应UZMIN，即反向特性曲线刚刚击穿处对应