《用直流磁控溅射法研制非晶硅太阳电池ZnO_Al背反射电极》.pdf

　第 36卷 第 6期 　 　　　　　　　　人 　工 　晶 　体 　学 　报　　　 　　　　　 Vo l. 36　No. 6 　 2007年 12 月 　　　　　　 　　　 JOURNAL OF SYN TH ETIC CRYSTAL S 　　　　　 　 　D ecem ber, 2007 用直流磁控溅射法研制非晶硅太阳 电池 ZnO / A l背反射电极 薛俊明, 孙 　建, 任慧志, 刘云周 , 段苓伟 , 周祯华 , 张德坤 ,赵 　颖, 耿新华 (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 ;光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 ; 光电信息技术科学教育部重点实验室 ,天津 300071) ( ) 摘要 :本文首先在低温 140 ℃ 和低功率下采用 Zn: A l合金靶直流反应磁控溅射法研制 ZnO : A l透明导电膜 。然后 ( ) ( ) 在单结 gla ss/ SnO2 /p in / 或双结 gla ss/ SnO2 /p in /p in / 非晶硅电池上沉积约 70 ～100nm 厚的 ZnO 透明导电膜 ,最 后再用电阻蒸发法沉积 A l电极 。实验获得了较好的 n + / ZnO 界面 ,实现了 ZnO /A l背电极的增反作用 ,使电池的短 2 ( ) 路电流增加 1～3mA / cm ,光电转化效率提高 1～3% 绝对效率 ,小面积电池效率达到 9. 5% 。 关键词 :非晶硅电池 ; ZnO /A l复合背电极 ;背反射 ;短路电流 ;转换效率 中图分类号 : O484 　 　 文献标识码 : A 　 　 文章编号 : 1000985X (2007) Study of ZnO / A l Back Reflector of A m orphous S ilicon Solar Cells w ith D C m agnetron Sputter ing X UE J un m ing , S UN J ian, R EN H u izh i, L I U Yun zhou, D UAN L ing w ei, ZHOU Z hen hua, ZHAN G D ekun, ZHA O Ying, GEN G X in hua ( In stitu te of Photoelectron ic Th in Film D evices and Technology, N ankai Un iversity; Key L aboratory of