《磁控反应溅射AlN薄膜光学性能研究》.pdf

磁控反应溅射AlN薄膜光学性能研究 朱春燕。朱昌 (西安工业大学光电工程学院，陕西西安710032) [摘要]为了制备光学性能良好的AlN薄膜。采用磁控反应溅射法制备了氮化铝(mN)薄膜，利用椭圆仪、分光光度计、傅 说明薄膜中已经形成了AlN。 [关键词]氮化铝薄膜；折射率；透过率；红外光谱；磁控反应溅射法 [中图分类号】1lGl74．444；0484．4 [文献标识码]A The ofA州mm ReactiVe Magnetron OpticalProperties by Sputtering zHU ChHn·3}傩。zHU chmg of (SchoolOptoelectmnicEngineering，XianTechnolo百calUniversity，X俺n710032，China) Aluminum film reactive werestudied [Abstract] nitride(AlN)thinusingmagnetronsputtering by of the spectrometryandFnR ref．rac“veindexthe矗lmis2．O-2．4in ellipsometw。ultravjolet-visiblespectmme￡ry．’n】e f}om400nmto1 100nm．TheAlN．filmhasanintense inthef矗ultmvioletof wavelen鼬hmnge absorption rayrange inthe of400nm-760nm．Anintense existsat677 200nm．300nm。andhi曲transmissionwavelengthrange absorption of intheFnR isshownthatthefilmcomes aluminumnitride． cm-lwavelength spectmm。it intobeing AlN reactive [Keywords] film；Refhctiveindex；Tmnsmission；兀tIRspectrum；Magnetmnsputtedng O 引 言 通过气体质量流量计导入溅射室。反应磁控系统框图如图1。 AlN薄膜具有很多优异的物理化学性质，如低电导、高热导 率、较大的能隙、较大的压电性能、高声速、良好的高温稳定性和 化学稳定性…，近年来备受关注并得到广泛研究口o。AlN薄膜 是重要的蓝光、紫光发光材料口J，并在光学膜、绝缘膜、硬膜、压 电材料及磁光记录介质的保护层中都有很好的应用前景H1。 目前，反应磁控溅射是制备AlN薄膜最广泛的方法胪J。 Ar N2 其主要的原因是：反应磁控溅射制备AlN薄膜可以采用高纯舢 图1 反应磁控溅射系统框图 1Schemeofreacti