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后烘 光线照射到光刻胶与晶圆的界面上会产生部分反射。反射光与入射光会叠加形成驻波，后烘会部分消除这种效应。 AZ1500标准后烘条件：115℃， 50s 显影 用化学显影液将曝光造成的光刻胶的可溶解区域溶解就是光刻胶的显影，其主要目的就是把掩膜版的图形准确复制到光刻胶中。 自动显影—4英寸衬底 手动显影 AZ1500标准显影时间：8 s 标准显影溶液：ZX-238 注意：完全垂直的光刻胶侧壁非常难制作。正胶通常会有一些轻微的正向倾斜，大约85°-89°，复交有相似的倒的外形轮廓。这是光强通过掩模板后产生的结果。 显影液： 1. 正性光刻胶的显影液：正胶的显影液位碱性水溶液。最普通的正胶显影液是四甲基氢氧化铵（TMAH）（标准当量浓度为0.26，温度15～250C）。在I线光刻胶曝光中会生成羧酸，TMAH 显影液中的碱与酸中和使曝光的光刻胶溶解于显影液而未曝光的光刻胶没有影响； 2. 负性光刻胶的显影液：二甲苯。 显影中的常见问题： 1. 显影不完全（Incomplete Development）：表面还残留有光刻胶，可能是显影液不足造成； 2. 显影不够（Under Development）：显影的侧壁不垂直，由显影时间不足造成； 3. 过度显影（Over Development）。靠近表面的光刻胶被显影液