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浙大微电子 （共68页） 桂林电子科技大学职业技术学院 硅热氧化设备与 二氧化硅膜质量控制 常规热氧化方法 干氧氧化：Si+O2:高温加热 热氧化速率取决于氧原子在二氧化硅中的扩散速率，温度越高、扩散越快，二氧化硅层越厚。 特点：结构致密、干燥性和均匀性好、钝化效果好、掩蔽性能好，但总体反应速率慢； 水汽氧化：Si+H2O:高纯水、高温加热 由于水汽的进入，使氧化膜结构疏松，反应速率加快。所需水蒸气由高纯去离子水汽化或氢氧化合而成。 特点：反应速率快—水在二氧化硅中的平衡浓度大于氧气；结构疏松，含水量大，掩蔽性能不好，目前很少使用； 常规热氧化方法 湿氧氧化：Si+H2O+O2:氧气携带去离子水产生的水蒸气（95-98℃）、高温加热； 特点：介于干氧和水汽氧化之间，实际应用时，常采用干氧-湿氧-干氧交替进行的方式，既保证膜质量又提高了氧化速率。 氢氧合成氧化：H2：O2=2：1 氧气须过量； 高纯氢-氧反应生成水，水汽化后与氧气一同参与反应。 优点：膜质量好、均匀性好，但安全性控制较复杂。 常规热氧化方法 掺氯氧化 本质：在二氧化硅界面形成氯-硅-氧复合结构，保护结构不受钠离子影响而减少层错等缺陷的出现。 作用过程：在干氧氧化基础上，通入含氯化合物气体，提高器件电学性能和可靠性。 热氧化界面 影响氧化层厚度的因素： 氧化时间、氧化温度、氧化剂