5MOS场效应管的特性.pptVIP

迁移率的退化（续） 2） 迁移率?的退化的第二个原因：还有电场强度 通常，电场强度E增加时，?是减小的。然而，电场E有水平分量和垂直分量，因而?将随Ev，Eh而退化。 通常，?可以表示为， ? = ?0(T)fv(Vg,Vs,Vd)fh(Vg,Vs,Vd) 其中，?0(T)是温度的函数， ?0(T) = kT ?M 于是， 在半导体Si内，M=1.5，这是Spice中所用的参数。但在反型层内（NMOS管），M=2，所以，一般认为，M值是处在1.5?2之间。?0的典型值为，N沟道MOS管，?0=600cm2/V?S；P沟道MOS管，?0=250cm2/V?S。式中fv是垂直电场的退化函数；fh是水平电场的退化函数。 * 迁移率的退化（续） 水平电场对?的影响，比垂直电场大得多。因为水平电场将加速载流子运动。当载流子速度被加速到一个大的数值，水平速度会饱和。一般来讲，N型Si的?0远大于P型Si的?0。然而，这两种载流子的饱和速度是相同的。 对于一个高性能器件来说，载流子是以最高速度，即饱和速度通过沟道的。这时，P沟道管子的性能与N沟道管子差不多相等。这并不是P型器件得到改进，而是N型器件有所退化。 * Vc是临界电压，Vc=?ctox，?c是临界电场，?c=2?105 V/cm