ch4薄膜沉积与外延技术.docVIP

4-1.計算以SiCl4為反應氣體，各須多少時間長1μm的矽磊晶層? 1100C 800C 以及As原子在以下溫度長1μm矽磊晶時之擴散距離 1100c 800c 低溫下長矽磊晶的重要性 如何在低溫下長矽磊晶 n-type及p-type矽晶的dopant元素為何? 如何以in-situ dopant長出高品質參雜矽磊晶? (a) hg=5 cm/s ks=107exp(-1.9ev/kT) cm/s v= (kshg)/( hg+ks)(Ct/Ca)y at1100 ks=0.46 =4.1x10-3 at1100 v=2.52x10-7 cm/s =須396秒 =2.457x10-9 cm/s=須40700秒 (b) at 1100 D=3.5x10-15 800 =1.325x10-19 距離=(Dt)1/2 at1100 距離=4.01x10-8 cm 800 =7.3x10-8 cm (e) 傳統磊晶成長，是在高溫下進行，以加溫方式提供熱能來促進矽磊晶成長，近來也有為了減少熱效應，增加矽磊晶應用，而使用低溫矽磊晶製程的，如前所言，這是因為低溫矽磊晶製程，可避例如在元件縮小化時，摻入