CMOS模拟集成电路设计ch11带隙基准up.pptVIP

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  • 2016-03-03 发布于重庆
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CMOS模拟集成电路设计ch11带隙基准up.ppt

电流镜 CMOS模拟集成电路设计 带隙基准 提纲 1、概述 2、与电源无关的偏置 3、与温度无关的基准 4、PTAT电流的产生 5、恒定Gm偏置 1、概述 基准 目的:建立一个与电源和工艺无关、具有确定温度特性的直流电压或电流。 与温度关系: 与绝对温度成正比(PTAT) 常数Gm特性 与温度无关 2、与电源无关的偏置 电流镜 “简并”偏置点 3、与温度无关的基准 3.1 负温度系数电压 3.2 正温度系数电压 3.3 带隙基准 3.3 带隙基准(续) 3.3 带隙基准(续) 3.3 带隙基准(续) 3.3 带隙基准(续) 3.3 带隙基准(续) 4、PTAT电流的产生 PTAP电流 5、恒定Gm偏置 与电源无关的偏置电路是确定跨导的简单电路 小结 与电源无关的偏置 自举——互相复制 与温度无关的基准 负温度系数电路与正温度系数电路相加补偿 工艺兼容性;运放失调;反馈;稳定性;启动 PTAT电流的产生 恒定Gm偏置 * 带隙基准 概述 与电源无关的偏置 与电源有关 电阻?IREF? 与电源无关的电流镜 互相复制——“自举” 问题:电流可以是任意的! 增加一个约束:RS 忽略沟道长度调制效应, 与电源无关的偏置 忽略体效应, 则 VGS1 VGS2 消除体效应的方法: 在N阱工艺中,在P型管(PMOS)的上方加入电阻,

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