电力电子器件基础知识精要.pptVIP

* GTR、MOSFET、IGBT特性测试 1.9 任务实施——电力电子器件测试 ★ 采用THPDD实训台、双踪示波器、万用表、数字表等进行实训。 ★电力电子器件采用GTR、MOSFET、IGBT三种。 ★ 绘制相应测试电路原理图。 ★ 连接实际测试接线图。 ★ 调节给定电位器RP1，逐步改变给定电压，监视电压表、电流表的读数，当电压表指示接近零（表示管子完全导通），停止调节，记录给定电压Ug调节过程中回路电流Id以及器件的管压降Uv。 ★ 总结测试结论。 * 思考题及注意事项 各种器件对触发脉冲要求的异同点？ 为保证功率器件在实训过程中避免功率击穿，应保证管子的功率损耗(即功率器件的管压降与器件流过的电流乘积)小于8W。 为使GTR特性实训更典型，其电流应控制在0.4A以下。 * 1.10知识拓展——谐振软开关的基本概念 1.开关过程器件损耗及硬、软开关方式 2.零电压开关与零电流开关 3.谐振软开关电路类型（准谐振电路、零开关PWM电路、零转换开关电路） * 小结 电力二极管由PN结组成，加正向电压导通，加反向电压截止，是不可控单向导通电力电子器件。 普通晶闸管是半控型电力电子器件。导通条件是：对晶闸管的阳极和阴极两端加正向电压，同时在门极和阴极也加适当地正向电压。一旦晶闸管导通，门极就失去了控制作用。关断条件是：使流过晶闸管的阳极电流小于维持电流。双向晶闸管可看作两只普通的晶闸管反向并联，正反向都能被触发导通，因此其额定电流值为有效值。 * 门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管等均属于全控型电力电子器件，即通过控制极施加驱动信号,既能控制其开通,又能控制其关断。其中GTO、GTR器件属于电流控制型器件，电流控制型器件具有通态压降低、导通损耗小、工作频率低、驱动功率大以及驱动电路复杂等特点。电力场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管、静电感应晶体管、静电感应晶闸管、MOS控制晶闸管以及集成门极换流晶闸管等器件均为电压控制型器件。电压控制型器件具有输入阻抗大、驱动功率小、驱动电路简单以及工作频率高等特点。 * 近年来电力电子器件发展的一个重要趋势是将电力电子器件与其驱动、检测和保护等硬件集成于一体,构成体积小、重量轻、成本低、可靠性高以及使用方便的功率集成电路。 此外还介绍了晶闸管、电力场效应晶体管以及绝缘栅双极晶体管等的测试方法，并了解了谐振软开关的概念。 * 共发射极接法时可分为三个工作区： ① 截止区。在截止区内，IB≤0，UBE≤0，UBC0，集电极只有漏电流流过。 ② 放大区。IB 0，UBE0，UBC0，IC =βIB。 ③ 饱和区。IB Ics/β，UBE0，UBC0，ICS是集电极饱和电流，其值由外电路决定。 * 在实际应用时，增大驱动电流，可使td（延迟时间）和tr（上升时间）都减小，但电流也不能太大，否则将增大存储时间。在关断GTR时，加反向基极电压可加快电容上电荷的释放，从而减小ts存储时间和tf下降时间 ，但基极电压不能太大，以免使发射结击穿。 GTR在关断时漏电流很小，导通时饱和压降很小。因此，GTR在导通和关断状态下损耗都很小，但在关断和导通的转换过程中，电流和电压都较大，所以开关过程中损耗也较大。当开关频率较高时，开关损耗是总损耗的主要部分。因此，缩短开通和关断时间对降低损耗、提高效率和提高运行可靠性很有意义。 * * * * * * 3. 双向晶闸管的触发方式 双向晶闸管正反两个方向都能导通，门极加正负电压都能触发。主电压与触发电压相互配合，可以得到四种触发方式： 第一象限触发 第二象限触发 第三象限触发 第四象限触发 * 包括所有专为快速应用而设计的晶闸管，有快速晶闸管和高频晶闸管（10kHz以上）； 管芯结构和制造工艺进行了改进，开关时间以及du/dt和di/dt耐量都有明显改善； 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10?s左右； 高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高； 由于工作频率较高，选择通态平均电流时不能忽略其开关损耗的发热效应； FST由于允许长期通过的电流有限，所以其不宜在低频下工作。 二、快速晶闸管（Fast Switching Thyristor——FST) * 逆导晶闸管是将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件，这种器件不具有承受反向电压的能力，一旦承受反向电压即开通。 三、逆导晶闸管（Reverse Conducting Thyristor——RCT） 图1-9 逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性 a) 电气图形符号 b) 伏安特性 * 四、 光控晶闸管（Light Triggered Thyri