第03章器件资料.ppt

EE141 EE141 数字集成电路-电路、系统与设计 本章目的 建立对器件工作状态的直观理解 介绍器件的基本公式 介绍可用于手算的器件模型 介绍用于 SPICE模拟的器件模型 二阶效应分析和深亚微米器件的效应 未来趋势 二极管 耗尽区 二极管电流 正偏电压下 反偏电压下 人工分析模型 结电容 扩散电容 二次效应 二极管的ＳＰＩＣＥ模型 SPICE 参数 什么是晶体管? MOS 管 MOS 晶体管的电路符号 MOS 电容 MOS管的栅和体形成电容 工作模式 积累 耗尽 反型 阈值电压: 概念 MOS管上的电压 MOS管的操作模式取决于 Vg, Vd, Vs Vgs = Vg – Vs Vgd = Vg – Vd Vds = Vd – Vs = Vgs - Vgd 源和漏对称 一般来讲, 源接低电压 保证 Vds ? 0 NMOS体区接地，源区接地 三种不同工作状态 截止、线性、饱和 截止 没有沟道 Ids = 0 晶体管电阻工作区 晶体管电阻工作区 沟道形成 电流从 d 到s e- 从 s 到 d 随Vds增加，Ids 增加 和线性电阻类似 nMOS 饱和 沟道夹断 Ids 与 Vds无关 电流达到饱和 和电源类似 阈值电压计算 体偏置对阈值的影响 漏极电压和电流的关系 I-V 特征曲线计算 在线性区, Ids 与如下相关 沟道内有多少电荷? 电荷移动的速度? 沟道内有多少电荷？ MOS管在反型区类似一个平板电容 Gate – oxide – channel Qchannel = CV C = Cg = eoxWL/tox = CoxWL V = Vgc – Vt = (Vgs – Vds/2) – Vt 载流子速度 电荷由电子组成 e- 载流子的速度 v 与源漏的电场 E相关 v = mE m 迁移率 E = Vds/L 载流子穿过沟道的时间: t = L / v nMOS 线性区 I-V 现在我们知道 沟道内电荷 Qchannel 有多少 电荷穿越沟道的时间 t 晶体管的饱和工作区 nMOS 饱和 I-V 如果 Vgd Vt, 沟道在漏极附近夹断 当 Vds Vdsat = Vgs – Vt 此时增加漏极电压不在增加漏极电流 nMOS I-V 特性总结 长沟道器件的电压电流关系 人工分析模型 速度饱和效应 速度饱和效应 深亚微米区域的电压电流关系 ID / VGS ID / VDS 用于手工分析的非精确模型 用于手工分析的模型 PMOS 晶体管 手工分析模型参数 ＮＭＯＳ晶体管的开关模型 ＮＭＯＳ晶体管的开关模型 ＮＭＯＳ晶体管的开关模型 MOS 电容的动态特性 MOS 晶体管的的动态特性 栅电容（沟道电容） 栅电容 栅电容 测试-模拟一个MOS管的栅电容 结电容（扩散电容） 结电容 0.25 mm CMOS 工艺中的结电容 深亚微米晶体管特性 阈值电压变化 亚阈区导通 寄生电阻 阈值电压变化 亚阈值区导通 亚阈区的 ID vs VGS 亚阈值区的 ID vs VDS MOSFET 工作区域总结 强反型区 VGS VT 线性区 (电阻区) VDS VDSAT 饱和区 (固定电流区) VDS ? VDSAT 弱反型区 (亚阈值区) VGS ? VT 电流与VGS 成指数关系，与VDS 成线性关系 寄生电阻 闩锁 SPICE 模型 Level 1：长沟道方程 很简单 Level 2：物理模型 包括载流子饱和和阈值变动 Level 3：半经验模型 拟合器件测量曲线 Level 4：BSIM经验模型 简单、普遍采用 主要的 MOS SPICE 参数 SPICE 寄生参数 SPICE 晶体管参数 拟合Level 1模型用于手工分析 工艺沿革 未来展望 (a) 原因 (b) 等效电路 V DD R psubs R nwell p-source n-source n + n + p + p + p + n + P衬底 R psubs R nwell V DD N阱 V GS = 5 V V DS = 5 V V DS I D 长沟道近似 I - 短沟道I-V曲线 匹配区 选择 k ‘ 和 l 使得在 得到最佳匹配 V gs = V ds = V DD x (V/μm) x c = 1.5 u n ( m / s ) u sat = 10 5 Constant mobility (slope = μ) Constant velocity 图3.１７ V V V - V I D 长沟道器件 短沟道器件 DS DSAT GS T V GS = V DD 图3.18短沟道器件由于速度饱和而显示出范围更大的饱和区 线性关系 -4 V