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WWW.S 太阳级硅材料测试技术与仪器 WWW.S 少子寿命测试的基本原理和方法 铁含量的测试原理和方法 电阻率测试的基本原理和方法 红外探伤仪的基本原理和方法 硅片自动分选模组的介绍 目录： WWW.S 少子寿命测试的基本原理和方法 处于热平衡状态下的半导体，在一定温度下，载流子的浓度是一定的，称为平衡载流子浓度, 如果对半导体施加外界作用,破坏了热平衡的条件，称为非平衡状态。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。非平衡载流子分为非平衡多数载流子和非平衡少数载流子, 对于n型半导体材料，多出来的电子就是非平衡多数载流子,空穴则是非平衡少数载流子。对p型半导体材料则相反, 产生非平衡载流子的外界作用撤除以后，它们要逐渐衰减以致消失，最后载流子浓度恢复到平衡时的值, 非平衡少数载流子的平均生存时间称为非平衡少数载流子的寿命,简称少子寿命 - 少子寿命的概念 WWW.S 测量方法都包括非平衡载流子的注入和检测两个基本方面。最常用的注入方法是光注入和电注入，而检测非平衡载流子的方法很多，如探测电导率的变化，探测微波反射或透射信号的变化等，这样组合就形成了许多寿命测试方法, 如: 直流光电导衰减; 高频光电导衰减; 表面光电压; 微波光电导衰减等 - 少子寿命测试的方法 对于不同的测试方法，测试结果可能会有出入，因为不同的注入方法，厚度或表面状况的不同，探测和算法等也各不相同。因此，少子寿命测试没有绝对的精度概念，也没有国际认定的标准样片的标准，只有重复性，分辨率的概念。对于同一样品，不同测试方法之间需要作比对试验, 但比对结果并不理想 WWW.S 微波光电导衰减法 μ-PCD法 相对于其他方法，有如下特点： - 无接触、无损伤、快速测试 - 能够测试较低寿命 - 能够测试低电阻率的样品（最低可以测0.1ohmcm的样品） - 既可以测试硅锭、硅棒，也可以测试硅片或成品电池 - 样品没有经过钝化处理就可以直接测试 - 既可以测试P 型材料，也可以测试N 型材料 - 对测试样品的厚度没有严格的要求 - 该方法是最受市场接受的少子寿命测试方法 - μ-PCD法 WWW.S - μ-PCD法的测试原理 WWW.S 200 ns Excitation pulse V V0 e -t/t Detected μw signal ?eff: 有效寿命, 也是测试寿命 ?bulk : 体寿命 ?sd: 表面复合影响的寿命 S1, S2: 两个表面的复合速率 d : 样品厚度 D : 扩散系数 - μ-PCD法的测试模型 WWW.S 1、化学钝化－碘酒法 - HF 5% + HNO3 95% 去除表面损伤层 - 样品如放置较长时间，需HF 去除表面自然氧化层 - 样品用碘酒 0.2-5% 浸泡在塑料袋中测试 2、电荷 Charge 钝化方法－采用高压放电，在样品表面均匀 覆盖可控电荷，从而抑制表面复合 m-PCD with chemical surface passivation Charge-PCD m-PCD taverage 14.6ms taverage 953ms taverage 1091ms 3、热氧化法 – 样品表面生长高质量的氧化层钝化 4、Semilab PTC 法 － Semilab Preface Treatment Chamber - 样品表面钝化方法介绍 WWW.S - 在单晶生长和切片生产中: 1. 调整单晶生长的工艺，如温度或速度 2. 控制回炉料，头尾料或其他回收料的比例 3. 单晶棒，单晶片的出厂指标检测 在多晶浇铸生产中： 1. 硅锭工艺质量控制 2. 根据少子寿命分布准确判断去头尾位置 电池生产中： 1. 进片检查 2. 工艺过程中的沾污控制 3. 每道工序后的检测： 磷扩散；氮化硅钝化；金属化等 - 少子寿命测试在光伏领域的应用 WWW.S - 单晶生长及单晶硅片 WWW.S 多晶浇铸及多晶硅片 带硅和薄膜电池 0.23ms 1.78ms Cut off Cut off Block CuInGaSe Film On Glass Ribbon Silicon As cut wafer Solar Cell WWW.S - 量子效率和少子寿命的一致性 Correlation between IQE and Lifetime The plot and the maps are originated from the IQE internal quantum efficiency results based on LBIC and reflectance as well as frequency tune