亲水性聚合物刷通过原子转移自由基聚合以化学键接方式接枝在单晶硅表面(Ⅰ).pdfVIP

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亲水性聚合物刷通过原子转移自由基聚合以化学键接方式接枝在单晶硅表面(Ⅰ).pdf

第30卷第3期 湖北大学学报(自然科学版) VoL30No.3 ofHubei Science) Sep.,2008 2008年9月 Journal University(Natural 文章编号:1000—2375(2008)03—0280一04 亲水性聚合物刷通过原子转移自由基聚合 以化学键接方式接枝在单晶硅表面(I) 彭锦雯,邓卫星 (桂林工学院有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室,广西桂林541004) 摘要:实现在sj—H表面用UV辐照将4一氯代乙烯基苯(4一vinylbenzylchloride,、1℃)的单分子层以共价 键的方式连接在硅片上形成Si_Ⅵ3C表面;利用苄基氯引发原子转移自由基聚合(ATI心)反应接枝亲水性2一 羟乙基甲基丙烯酸酯(2一hydroxyethyl 面.用X射线光电子能谱(XPS)表征接枝有亲水聚合物刷硅表面的化学组成,并对其动力学进行研究. 关键词:硅表面;ATRP;亲水性;聚合物刷 中图分类号·TN304文献标志码:A 利用原子转移自由基聚合(ATRP)对硅片表面进行功能化修饰与改性,使硅片表面以化学键接的 方式,接枝一层致密的聚合物刷,近来这方面的研究一直是硅表面功能化的研究热点[1.7l,这是因为这种 功能化修饰改性,一方面保持硅片基体与修饰分子的良好接触与稳定接合,另一方面可表现出比Si—H 表面更稳定更丰富的光电物理化学行为,为材料学、微电子学、化学、生物化学、生命科学和纳米技术等 前沿科学研究领域,开辟出更加广阔的应用前景. 本文中实现了在硅表面通过引 0 lo%HF kH\髫卜.. 发ATRP接枝亲水性2一羟乙基甲基I 2rain,25C l—百函i忑忑面 3ll儿JUl3U si‘1吧wa瑟触5卜H3UnaCe 丙烯酸酯(HEMA)聚合物刷,由下si‘10∞器高1s。1I.Sp∞ 列步骤制备:(I)在以氢为末端基 ~ 的硅表面(si—H)由uV辐照形成 卜H,-CHocH2_Cl !。 VBC的硅烷化单分子膜,其苄基氯s::(100)wa衙si—vBCs晌ce . 拳。 可直接引发ATRP,生成具有ATRP l兰 引发功能的Si—VBC表面;(11)以 6i HEMA为单体,通过表面引发的 图1单晶硅表面亲水性聚合物刷的合成路线 ATRP,制备Si—VBC-g—P(HEMA) 表面,反应历程示意图见图1,并对其表面物性与动力学进行了研究. 1 实验部分 1.1试剂与材料 vinylbenzylchloride,Ⅵ3C),2一羟乙基甲基丙烯酸酯(2一hydroxyethyl ChemicalCo.of (2,2一byridine,Bpy),均购于Aldrich vinylbenzylchloride,VBC)和2一羟乙基甲基丙烯酸酯(2-hydroxyethyl 装填有除阻聚剂树脂的层析柱除去阻聚剂,并在一10℃下氩气保护中保存.取向单晶硅Si(100),厚度为 1.5tnlTl,直径150 Co.ofSantaClara,C八切成1.0crnXl.0 mm,生产商:Unisil eiTI的方块. 收稿日期:2008—04—28 作者简介:彭锦雯(1965一

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