真空镀膜设备可行性应用研究报告.doc

真空镀膜设备可行性研究报告 一、项目实施背景 薄膜是一种物质形态，它所使用的膜材料非常广泛，可以是单质元素或化合物，也可以是无机材料或有机材料。薄膜与块状物质一样，可以是单晶态的，多晶态的或非晶态的。近年来功能材料薄膜和复合薄膜也有很大发展。镀膜技术及薄膜产品在工业上的应用非常广泛，尤其是在电子材料与元器件工业领域中占有及其重要的地位。 镀膜方法可以分为气相生成法，氧化法，离子注入法，扩散法，电镀法，涂布法，液相生长法等。气相生成法又可分为物理气相沉积法，化学气相沉积法和放电聚合法等。它们都要求淀积薄膜的空间要有一定的真空度。所以，真空技术是薄膜制作技术的基础，获得并保持所需的真空环境，是镀膜的必要条件。其中，化学气相沉积镀膜技术即为PECVD真空镀膜技术。 PECVD是利用高频电源辉光放电产生等离子体进行化学气相沉积的过程。其特点是电子密度高、电子平均能量大，富含大量化学气相沉积的活性粒子和自由基，并且沉积温度低。在采用SiH4和NH3作为源气体沉积SiNx薄膜的过程中，由于大量氢原子的存在，使所生成的薄膜除了具有减反射性能外，兼具有良好的表面和体钝化性能，这是因为在离子的轰击下，氢原子更容易扩散进入薄膜体内，从而提高膜的体钝化效果。不仅如此，PECVD等离子体中由于含有高密度的离子，这些具有一定动能的离子对沉积的减反射钝化膜进行轰击，还会提高膜的质密性和应力。 PECVD的一个基本特征是和实现了薄膜沉积工艺的低温化，因此带来的好处是： ◇ 节省能源，降低成本 ◇ 提高产能 ◇ 减少高温导致的基片寿命衰减。 正是以上特性，PECVD真空镀膜设备被广泛应用于光伏产业、半导体和相关的微电子行业70年代初发展起来的PECVD最早是为了适应现代半导体工业的发展，制取优质介质膜。现代科技对半导体器件的可靠性和稳定性要求越来越高，为了防止器件制造过程中的表面玷污，必须进行表面钝化。用PECVD法制备的钝化膜的沉积实在低温下（200～400℃）进行的，钝化效果好，失效时间长，具有良好的热学和化学稳定性。 2、PECVD设备与TFT-LCD 80年代末，PECVD技术开始应用于TFT-LCD产业，在TFT-LCD领域应用最广的是RF-PECVD系统。PECVD在低温、大面积镀膜方向上具备其他CVD镀膜无可比拟的优势，进一步推进了平板显示业的发展和更新、基板尺寸更大的生产线被制造出来。从1世代的in-line生产线、batch-type生产线，到目前已投入运营的8世代 Cluster生产线，以及正在研制的更高世代的生产线都在广泛应用PECVD设备。 3、PECVD设备与多晶硅太阳能电池 PECVD设备是整条太阳能电池生产线的核心设备之一PECVD技术在光伏电池上的广泛应用，主要基于以下两种作用： （1）减少太阳能电池晶体硅表面对可见光的反射 为了降低晶体硅太阳电池的效率，通常需要减少太阳电池正表面的反射，还需要对晶体硅表面进行钝化处理，以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。 硅的折射率为3.8，如果直接将光滑的硅表面放置在折射率为1.0的空气中，其对光的反射率可达到30%左右。人们使用表面的织构化降低了一部分反射，但是还是很难将反射率降得很低，尤其是对多晶硅，使用各向同性的酸腐蚀液，如果腐蚀过深，会影响到PN结的漏电流，因此其对表面反射降低的效果不明显。因此，考虑在硅表面与空气之间插一层折射率适中的透光介质膜，以降低表面的反射，在工业化应用中，SiNx膜被选择作为硅表面的减反射膜，SiNx膜的折射率随着x值的不同，可以从1.9变到2.3左右，这样比较适合于在3.8的硅和1.0的空气中进行可见光的减反射设计，是一种较为优良的减反射膜。 （2）对晶体硅表面的钝化作用 另一方面，硅表面有很多悬挂键，对于N型发射区的非平衡载流子具有很强的吸引力，使得少数载流子发生复合作用，从而减少电流。因此需要使用一些原子或分子将这些表面的悬挂键饱和。实验发现，含氢的SiNx膜对于硅表面具有很强的钝化作用，减少了表面不饱和的悬挂键，减少了表面能级。 由于PECVD设备淀积的氮化硅薄膜,同时起到减反射膜和钝化的作用，可以极大地提高电池片转换效率，降低生产成本，是太阳能生产线中最为重要的设备之一。 二、项目建设规模及主要内容 （一）项目建设规模 依据规划要求，本项目拟占地****㎡（约****亩），其中建构筑物占地面积为****㎡，总建筑面积为****㎡。主要建构筑物包括：生产厂房****座、仓库****座、综合楼****栋及其它配套设施。 项目预计总投资****万元，其中建设投资****万元（包括基础工程建设投资****万元和设备购置及安装投资****万元），流动资金****万元。项目建设资金来源全部自筹。 项目分二期建设，建设周期为****个月，自****年***