第2章 电力电子器件详解.ppt

* 2.5.2 静电感应晶体管SIT ■是一种结型场效应晶体管。 ■是一种多子导电的器件，其工作频率与电力MOSFET相 当，甚至超过电力MOSFET，而功率容量也比电力 MOSFET大，因而适用于高频大功率场合。 ■栅极不加任何信号时是导通的，栅极加负偏压时关断， 这被称为正常导通型器件，使用不太方便，此外SIT通态电 阻较大，使得通态损耗也大，因而SIT还未在大多数电力电 子设备中得到广泛应用。 * 2.5.3 静电感应晶闸管SITH ■可以看作是SIT与GTO复合而成。 ■又被称为场控晶闸管（Field Controlled Thyristor——FCT），本质上是两种载流子导电 的双极型器件，通态压降低、通流能力强。 ■其很多特性与GTO类似，但开关速度比GTO高 得多，是大容量的快速器件。 ■一般也是正常导通型，但也有正常关断型 ，电 流关断增益较小，因而其应用范围还有待拓展。 * 2.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT ■是将一个平板型的GTO与由很多个并联的电力 MOSFET器件和其它辅助元件组成的GTO门极驱 动电路采用精心设计的互联结构和封装工艺集成在 一起。 ■容量与普通GTO相当，但开关速度比普通的 GTO快10倍，而且可以简化普通GTO应用时庞大 而复杂的缓冲电路，只不过其所需的驱动功率仍然 很大。 ■目前正在与IGBT等新型器件激烈竞争。 * 2.5.5 基于宽禁带半导体材料的电力电子器件 ■硅的禁带宽度为1.12电子伏特（eV），而宽禁带半导体 材料是指禁带宽度在3.0电子伏特左右及以上的半导体材 料，典型的是碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石等 材料。 ■基于宽禁带半导体材料（如碳化硅）的电力电子器件将 具有比硅器件高得多的耐受高电压的能力、低得多的通态 电阻、更好的导热性能和热稳定性以及更强的耐受高温和 射线辐射的能力，许多方面的性能都是成数量级的提高。 ■宽禁带半导体器件的发展一直受制于材料的提炼和制造 以及随后的半导体制造工艺的困难。 * 2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 ■基本概念 ◆ 20世纪80年代中后期开始，模块化趋势，将多 个电力电子器件封装在一个模块中，称为功率模块。 ◆可缩小装置体积，降低成本，提高可靠性。 ◆对工作频率高的电路，可大大减小线路电感， 从而简化对保护和缓冲电路的要求。 ◆将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自 诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率 集成电路（Power Integrated Circuit——PIC）。 * 2.6 功率集成电路与集成电力电子模块 ■◆智能功率模块（Intelligent Power Module—IPM） ?专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片 集成，也称智能IGBT（Intelligent IGBT）。 发展现状 ◆功率集成电路的主要技术难点：高低压电路之 间的绝缘问题以及温升和散热的处理。 ◆功率集成电路实现了电能和信息的集成，成为机电一体化的理想接口。 * 本章小结 ■将各种主要电力电子器件的基本结构、工作原理、基本 特性和主要参数等问题作了全面的介绍。 ■电力电子器件归类 ◆按照器件内部电子和空穴 两种载流子参与导电的情况 ?单极型：肖特基二极管、 电力MOSFET和SIT等。 ?双极型：基于PN结的电 力二极管、晶闸管、GTO和 GTR等。 ?复合型 ：IGBT、SITH 和MCT等。 图2-26 电力电子器件分类“树” * 本章小结 ◆按驱动类型 ?电压驱动型器件 √单极型器件和复合型器件。 √共同特点是：输入阻抗高，所需驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高。 ?电流驱动型器件 √双极型器件。 √共同特点是：具有电导调制效应，因而通态压降低，导通损耗小，但工作频率较低，所需驱动功率大，驱动电路也比较复杂。 ◆按控制信号的波形 ?电平控制型器件 √电压驱动型器件和部分电流驱动型器件（如GTR） ?脉冲触发型器件 √部分电流驱动型器件（如晶闸管和GTO） * 本章小结 ■电力电子器件的发展趋势 ◆20世纪90年代中期以来，逐渐形成了小功率 （10kW以下）场合以电力MOSFET为主，中、大 功率场合以IGBT为主的局面，在10MVA以上或者数千伏以上的应用场合，如果不需要自关断能力，那么晶闸管仍然是目前的首选器件 。