1.2kVSiCMOSFET器件URS应力退化机理研究.pdfVIP

第１期 电　　子　　学　　报 Ｖｏｌ．４４　Ｎｏ．１ ２０１６年１月 ＡＣＴＡＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ Ｊａｎ．　２０１６ １．２ｋＶＳｉＣＭＯＳＦＥＴ器件 ＵＲＳ应力退化机理研究 黄　宇，刘斯扬，顾春德，马荣晶，孙伟锋 （东南大学国家ＡＳＩＣ工程中心，江苏南京２１００９６） 　　摘　要：　本文首次研究了１．２ｋＶ碳化硅（ＳｉｌｉｃｏｎＣａｒｂｉｄｅ，ＳｉＣ）ＭＯＳＦＥＴ在非钳位重复应力（ＵｎｃｌａｍｐｅｄＲｅｐｅｔｉｔｉｖｅ Ｓｔｒｅｓｓ，ＵＲＳ）应力下的退化现象，并通过软件仿真和电荷泵测试技术对该现象进行了深入的分析．研究结果表明：ＵＲＳ 应力会使得器件积累区由于碰撞电离产生大量的电子空穴对，其中的热空穴将在电场的作用下注入到氧化层中，使氧 化层中出现许多空间正电荷，这些空间正电荷的存在使得器件的导通电阻与阈值电压出现下降，关态漏电流出 现上升． 关键词：　碳化硅；功率ＭＯＳＦＥＴ；非钳位重复应力；退化 中图分类号：　ＴＰ３６８１　　　文献标识码：　Ａ　　　文章编号：　０３７２２１１２（２０１６）０１０１３００５ 电子学报ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｅｊｏｕｒｎａｌ．ｏｒｇ．ｃｎ　 ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．０３７２２１１２．２０１６．０１．０１９ ＴｈｅＤｅｇｒａｄａｔｉｏｎＭｅｃｈａｎｉｓｍｆｏｒ１．２ｋＶＳｉＣＭＯＳＦＥＴＵｎｄｅｒ ＵｎｃｌａｍｐｅｄＲｅｐｅｔｉｔｉｖｅＳｔｒｅｓｓ ＨＵＡＮＧＹｕ，ＬＩＵＳｉｙａｎｇ，ＧＵＣｈｕｎｄｅ，ＭＡＲｏｎｇｊｉｎｇ，ＳＵＮＷｅｉｆｅｎｇ （ＮａｔｉｏｎａｌＡＳＩＣＳｙｓｔｅｍＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ，Ｊｉａｎｇｓｕ２１００９６，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：　Ｔｈｅｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎｂｅｈａｖｉｏｒｆｏｒ１．２ｋＶＳｉｌｉｃｏｎＣａｒｂｉｄｅ（ＳｉＣ）ＭＯＳＦＥＴｕｎｄｅｒｕｎｃｌａｍｐｅｄｒｅｐｅｔｉｔｉｖｅｓｔｒｅｓｓ （ＵＲＳ）ｈａｓｂｅｅｎｆｉｒｓｔｌｙｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄｉｎｄｅｔａｉｌｂｙｔｈｅａｎａｌｙｓｉｓｏｆｔｗｏｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｄｅｖｉｃｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｓａｎｄｃｈａｒｇｅｐｕｍｐｉｎｇ ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ．Ｉｔｈａｓｂｅｅｎｓｈｏｗｎｔｈａｔ，ｗｈｅｎｔｈｅｄｅｖｉｃｅｉｓｕｎｄｅｒＵＲＳｃｏｎｄｉｔｉｏｎ，ｔｈｅｅｌｅｃｔｒｉｃｆｉｅｌｄａｎｄｉｍｐａｃｔｉｏｎｉｚａｔｉｏｎｉｎｔｈｅ ａｃｃｕｍｕｌａｔｉｏｎｒｅｇｉｏｎｂｅｃｏｍｅｓｕｆｆｉｃｉｅｎｔｌｙｌａｒｇｅ，ｓｏａｓｔｏｇｅｎｅｒａｔｅｎｕｍｅｒｏｕｓｈｏｔｈｏｌｅｓ．Ｔｈｅｓｅａｖａｌａｎｃｈｅｄｇｅｎｅｒａｔｅｄｈｏｔｈｏｌｅｓ ｗｉｌｌｂｅｉｎｊｅｃｔｅｄａｎｄｔｒａｐｐｅｄｉｎｔｏｔｈｅｇａｔｅｏｘｉｄｅａｂｏｖｅｔｈｅａｃｃｕｍｕｌａｔｉｏｎｒｅｇｉｏｎ，ｒｅｓｕｌｔｉｎｇｉｎａｎｉｎｉｔｉａｌｄｅｃｒｅａｓｅｏｆｔｈｅｏｎｓｔａｔｅ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅａｎｄｔｈｒｅｓｈｏｌｄｖｏｌｔａｇｅ，ａｓｗｅｌｌａｓａｎｉｎｃｒｅａｓｅｉｎｄｒａｉｎｓｏｕｒｃｅｌｅａｋａｇｅｃｕｒｒｅｎｔ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：　ｓｉｌｉｃｏｎｃａｒｂｉｄｅ；ｐｏｗｅｒＭＯＳＦＥＴ；ＵＲＳ（ｕｎｃｌａｍｐｅｄｒｅｐｅｔｉｔｉｖｅｓｔｒｅｓｓ）；ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ ［１］ 少数领域 ．ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ之所以到目前为止市场占有 １　引言