GaN外延结构中微区应变场的测量和评价.pdfVIP

第 11 期 电　　子 　　学 　　报 Vol . 36 　No . 11 　2008 年 11 月 ACTA ELECTRONICA SINICA Nov . 　2008 　 GaN 外延结构中微区应变场的测量和评价 1 1 1 2 2 2 2 2 王俊忠 ,吉 　元 , 田彦宝 ,牛南辉 ,徐 　晨 ,韩 　军 ,郭 　霞 ,沈光地 ( 1 北京工业大学固体微结构与性能研究所 ,北京 100124 ;2 北京工业大学光电子技术研究所 ,北京 100124) ( ) 　　摘 　要 : 　采用电子背散射衍射 EBSD 技术 ,测量 GaN/ 蓝宝石结构中的弹性应变场. 将 EBSD 菊池衍射花样的图 像质量 IQ 值及小角度错配作为应力敏感参数 ,表征 GaNBuffer 层蓝宝石结构中的晶格畸变和转动 ,显示微区弹性应 ( ) 变场. 在 GaN/ 蓝宝石系统中 ,弹性应变的影响范围大约 200 ×700nm. 采用快速傅立叶变换 FFT 提取菊池花样的衍射 强度 ,识别 GaN 外延结构中的应变/ 无应变区域. 关键词 : 　电子背散射衍射 ( EBSD) ; 微区应力 ; GaN 外延层 中图分类号 : 　TN454 　　　文献标识码 : 　A 　　　文章编号 : (2008) Me a surement and Evaluation of MicroSiz e d Strain Field s in GaN Epit axial Structure 1 1 1 2 2 2 2 2 WAN G Junzhong ,J I Yuan ,TIAN Yanbao ,NIU Nanhui ,XU Chen ,HAN Jun , GUO Xia ,SHEN Guangdi ( 1Institute of Microstructure and Property of A dvanced Materials , Beij ing 100124 , China ; 2Optoelectronic Technology L aboratory , Beij ing University of Technology , Beij ing 100124 , China) Ab stract : 　The elastic strain field in a GaN/ sapp hire structure was measured via electron backscatter diffraction ( EBSD ) . Image quality and small misorientation of EB