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技术参数表技术参数表
抗辐射抗辐射N沟道沟道MOSFET
DEVICES 水平水平
2N7261 2N7261U JANSR ((100K RAD (硅))(硅))
JANSF ((300K RAD (硅))(硅))
绝对最大额定值(绝对最大额定值(T C = + 25°C除非另有说明)除非另有说明)
参数参数/测试条件测试条件 符符 Value Unit
漏 - 源电压 V 100 Vdc
DS
栅 - 源电压 V ± 20 Vdc
GS
连续漏电流
I 8.0 Adc
T = +25°C D1
C
连续漏电流
I 5.0 Adc
T = +100°C D2
C
最大.功耗
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