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* * 3.1　晶体管的开关特性 3.1.1　晶体二极管开关特性 3.1.2　晶体三极管开关特性 S R V 图3-1-1 理想开关 ＋ － 3.1.1　晶体二极管开关特性 　　理想开关的特性： 　　(1) 开关S断开时，通过开关的电流i=0，这时开关两端点间呈现的电阻为无穷大。 　　(2) 开关S闭合时，开关两端的电压v=0，这时开关两端点间呈现的电阻为零。 　　(3) 开关S的接通或断开动作瞬间完成。 　　(4) 上述开关特性不受其他因素（如温度等）的影响。 　　１．二极管稳态开关特性 　　当外加正向电压时，正向电流随电压的增加按指数规律增加。图中Vth称为正向开启电压或门限电压，也称为阈值电压。 iD vD Vth IS O 图3-1-2 二极管伏安特性 (a) 二极管电路表示 (b) 二极管伏安特性 iD ＋ － vD 　　稳态开关特性：电路处于相对稳定的状态下晶体管所呈现的开关特性。 　　二极管的伏安特性方程为： iD vD O iD vD Vth O 图3-1-2 二极管伏安特性 (c) 理想二极管开关特性 (d) 二极管特性折线简化 　　当二极管作为开关使用时，可将其伏安特性折线化。当正向偏置时，二极管导通，压降为Vth值，相当于开关闭合；当反向偏置时，二极管截止，流过的电流为反向饱和电流，非常小，相当于开关断开。 　　结论：在稳态情况下，二极管开关特性与理想开关存在一定差异。主要表现为，正向导通时，相当于开关闭合，但两端仍有电位降落；反向截止时，相当于开关断开，存在反向电流。此外，二极管的Vth和IS都与温度有关。 　　通常硅二极管的Vth值取0.7V，锗二极管取0.3V。 　　２．二极管瞬态开关特性 　　电路处于瞬变状态下晶体管所呈现的开关特性。具体的说，就是晶体管在大信号作用下，由导通到截止或者由截止到导通时呈现的开关特性。 　　理想二极管作开关时，在外加跳变电压作用下，由导通到截止或者由截止到导通都是在瞬间完成，没有过渡过程。 D R vI ＋ － 图3-1-3 理想二极管开关特性 ＋ － vD iD (a) O vI t (b) O vD t O iD t VF VR VR IF 图3-1-4 二极管瞬态开关特性 O vI t O vD t O iD t VF VR t1 t2 t1 t2 IF －IR ts tf trr tr 　　当tt1时，二极管导通，导通电压为vD≈0.6~0.7V（以硅管为例），导通电流iD=IF=(VF－vD)/R≈VF/R。 　　当t=t1时，vI由VF突变为－VR，由于存储电荷的存在，形成漂移电流，iD=(vI－vD)/R≈－VR/R，使存储电荷不断减少。从vI负跳变开始至反向电流降到0.9IR所需的时间，称为存储时间ts。在这段时间内，PN结维持正向偏置，反向电流IR近似不变。　　 ● 存储时间 图3-1-4 二极管瞬态开关特性 O vI t O vD t O iD t VF VR t1 t2 t1 t2 IF －IR ts tf trr tr ● 　　经过ts时间后，反向电流使存储电荷继续消失，空间电荷区逐渐加宽，二极管转为截止状态。 　　反向电流由IR减小至反向饱和电流值，这段时间称为下降时间tf。通常以从0.9IR下降到0.1IR所需时间确定tf。trr= ts+ tf 称为反向恢复时间。 　　反向恢复时间是影响二极管开关速度的主要原因，是二极管开关特性的重要参数。 下降时间 反向恢复时间 图3-1-4 二极管瞬态开关特性 O vI t O vD t O iD t VF VR t1 t2 t1 t2 IF －IR ts tf trr tr ● 　　在tt2期间，二极管反向截止，vD=－VR，iD=－IS，空间电荷区很宽。 　　当t=t2时，vI由－VR突变为VF。由于二极管两端电压不能突变，电路中产生瞬时大电流(VR+VF)/R，二极管迅速导通，iD由(VR+VF)/R迅速下降到iD=IF=VF/R。 　　从vI正向跳变到二极管正向导通称为二极管的正向恢复时间，通常用vD的上升时间tr来描述。与trr相比，正向恢复时间可忽略不计。 上升时间 D R VREF1 ＋ － 图3-1-5 限幅电平为VREF1的串联 下限限幅器及工作波形 ＋ － vI (a) (b) O vI t ＋ － vO VREF1 O vO t VREF1 　　３．二极管开关应用电路 　　(1) 限幅电路 　　将输入波形的一部分传送到输出端，而将其余部分抑制掉。常用的有串（并）联上限、下限和双向限幅器。 　　图3-1-5中，当vIVREF1时，二极管导通，vO≈vI；当vIVREF1时，二极管截止，vO=VREF1。这样就将输入波形中瞬时电位低于VREF1的部分抑制掉，