aap_0117_重大产业化工程推进计划要点.docVIP

更多资料请访问精品资料网() 更多企业学院：/Shop/ 《中小企业管理全能版》 183套讲座+89700份资料 /Shop/40.shtml 《总经理、高层管理》 49套讲座+16388份资料 /Shop/38.shtml 《中层管理学院》 46套讲座+6020份资料? /Shop/39.shtml 《国学智慧、易经》 46套讲座 /Shop/41.shtml 《人力资源学院》 56套讲座+27123份资料 /Shop/44.shtml 《各阶段员工培训学院》 77套讲座+ 324份资料 /Shop/49.shtml 《员工管理企业学院》 67套讲座+ 8720份资料 /Shop/42.shtml 《工厂生产管理学院》 52套讲座+ 13920份资料 /Shop/43.shtml 《财务管理学院》 53套讲座+ 17945份资料? /Shop/45.shtml 《销售经理学院》 56套讲座+ 14350份资料 /Shop/46.shtml 《销售人员培训学院》 72套讲座+ 4879份资料 /Shop/47.shtml 重大产业化工程推进计划（关键技术、共性技术成果转化专项）项目申报指南 本计划是以壮大新区高新技术产业、促进战略性新兴产业发展为目标，对在新区范围内新投资企业和现有企业（增资增项）实施技术成果转化并产业化的项目给予资金扶持的科技计划类别。 关键技术、共性技术成果转化专项是面向金州新区高新技术产业和新兴产业领域企业利用关键、共性技术创新成果实施产业化转化的项目。 一、申报内容（课题） 我区高新技术产业和社会发展急需解决的关键技术、共性技术攻关项目资助。本计划采取命题方式，具体课题如下： （一）半导体关键设备与材料研发及产业化 1、领域：半导体照明 2、主要研究内容：蓝宝石衬底的刻蚀技术；蓝宝石衬底的产业化制备技术；LED外延用新型MO源、高纯氨等LED外延生长用关键原材料制备技术。半导体关键设备研发技术。 3、考核指标： （1）开发出适合于GaN基LED外延工艺的免处理衬底，达到同期国际先进水平，满足外延工艺要求，月产能达到万片以上 （2）MO源用高纯Ga、In等化合物纯度，TEGa、TMAl、TMIn、Cp2Mg等MO源纯度，超高纯氨气纯度达到同期国先进水平，满足外延工艺要求 （二）大功率LED外延片、芯片研发及产业化 1、领域：半导体照明 2、主要研究内容： （1）采用MOCVD设备生长高质量氮化镓p-n结构，通过对结构的设计提高LED外延片的光电转换效率。 （2）开发拥有专利技术的大效率LED芯片。 3、考核指标： （1）光电转换效率达1101m/W以上。 （2）建立产业化生产线。 （3）本年新增投资不低于1000万元，不低于5台MOCVD。 4、项目实施期限：两年 5、资助限额：500万元 （三）大功率LED照明灯具研发及产业化 1、领域：半导体照明 2、主要研究内容：大功率 LED在灯具内的散热技术，以提高灯具发光效率和安全性；研究灯具的密封性、防静电、可靠性和产业化技术；大功率半导体照明灯具内 LED的布置和二次光学配光设计，满足有关照明配光需求，提高发光效率等研究。 3、考核指标： （1）掌握半导体照明应用设计开发技术。 （2）解决 LED 与驱动电源一体化集成技术、二次光学系统设计及实现、灯具散热技术、防静电、密封、可靠性等关键技术。 （3）拥有自主知识产权。 （4）建立产业化生产线。 （5）本年新增投资不低于1000万元。 4、项目实施期限：两年 5、资助限额：200万元 （四）IGBT装片机设备研发及产业化 1、领域：半导体照明 2、主要研究内容：主要满足先进、高端封装生产线对封装高效率、高质量以及大功率的IGBT器件的要求，研发IGBT装片机分为冷机和热机，是贴装两颗或多颗芯片的专用设备，在大型封测骨干企业进行验证，技术参数和性能需满足封装规模化大生产线的要求。 3、考核指标： （1）IGBT装片机设备的技术指标。 ①焊接速度：UPH2000/H芯片以上； ②装片精度X-Y偏离≤±3mil，θ转角≤±3°。焊头具有自动校正芯片功能； ③芯片表面无损伤，芯片无暗裂，使用R100以上顶针； ④整体空洞累计5%芯片面积，单个空洞2%面积； ⑤芯片厚度10-50um可调； ⑥可处理WAFER尺寸: 6英寸以上。 （2）拥有自