三重态激子在不同荧光染料掺杂体系中的湮灭过程.pdfVIP

2010 年 第 55 卷 第 14 期： 1358 ~ 1364 《中国科学》杂志社 论 文 SCIENCE CHINA PRESS 三重态激子在不同荧光染料掺杂体系中的湮灭过程 * 阚敏, 陈平, 曹绍谦, 刘文利, 宋群梁, 熊祖洪 西南大学物理科学与技术学院, 教育部发光与实时分析重点实验室, 重庆 400715 * 联系人, E-mail: zhxiong@ 2009-10-12 收稿, 2009-12-19 接受 霍英东教育基金(101006)、国家自然科学基金和中央高校基本科研业务费专项资金(XDJK2009A001, XDJK2009B011) 资助项目 摘要 室温下, 在红色荧光染料掺杂的有机发光器件 ITO/N,N′-bis(naphthalen-1-y)-N,N′- 关键词 bis(phenyl)benzidine (NPB)/tris(8-hydroxyquinolato) aluminum (Alq3):4-dicyanomethylene-2- 染料掺杂 methyl-6-p-dimethylaminostyryl-4H-pyran(DCM)/Alq3/LiF/Al 中, 观察到发光随外磁场的变化 高场效应 ( 即磁致发光)表现为刚开始的快速增加, 在~50 mT 处达到最大后, 随着磁场的进一步增加, Förster 能量转移 又呈现出减弱的特点( 即高场效应); 而且, 器件的掺杂浓度越高、所加偏压越大, 该高场减弱 载流子陷阱 就越明显. 但在另一类绿色荧光染料 5,12-dihydro-5,12-dimethylquino [2,3-b] acridine-7,14- 三重态激子湮灭 dione (DMQA) 的掺杂器件中, 磁致发光的高场部分则是在~50 mT 后增加变缓并逐渐趋于饱 和. 分析结果表明, Förster 能量转移过程占主导发射的DMQA 掺杂器件, 不利于染料分子上 三重态激子的形成, 从而, 通过三重态激子对(triplet pairs)湮灭产生单重态激子(triplet-triplet annihilation, TTA) 的过程不易发生; 但在载流子陷阱效应参与发射的DCM 掺杂器件中, 室温 下在染料分子上就可以形成寿命较长的三重态激子, 增加了发生TTA 过程的几率. 因此, 基 于掺杂器件中两种不同的发射机制, 外加磁场对有机发光中三重态激子对(T⋅⋅⋅T) 的演化表现 出了不同的调控作用. 荧光染料掺杂的有机发光器件 , 具有发光效率 的常规有机发光器件(ITO/NPB/Alq3/LiF/Al) 中的磁 高、制造成本低、颜色丰富和大面积显示等优点, 已 效应时 , 发现室温与低温下的磁致有机发光表现出 经进入到商业化应用前期 [1~3]. 如何进一步提高发光 不同的变化趋势 [7~10]. 室温下, 发光随磁场的变化表 器件的效率及其稳定性 , 仍是目前需首要解决的两 现为刚开始的快速增加, 在~50 mT 处达到最大 , 然 大主题. 弄清该体系的一些基本物理过程, 如激子形 后随着磁场的进一步增大 , 发光增加变缓并逐渐趋 成、演化以及激子对间的相互作用机制等, 对提高器 于饱和; 而在低温下(150 K), 该磁致发光在~50 mT 件的性能具有重要的指导意义 . 作为辅助理解各种 处达到最大后, 随着磁场的进一步增大, 却又呈现出 微观物理机制的有效手段 , 半导体器件