霍尔效应传感器的基本原理以及其应用.pptVIP

霍尔效应传感器基本组成及原理 霍尔效应传感器的工作原理及应用 ? 霍尔效应传感器是基于霍尔效应：当一块导电的平面与磁力线垂直地放置在磁场中，将在平面上产生一个与电流方向和磁场方向都垂直的电场。如图1，当电流流过一个半导体平面（霍尔单元），与电流平行的两个端面引出两条导线作为输出信号端，此时，没有磁场施加在半导体平面，输出端的电压为零。 如果与半导体平面垂直的方向加一个磁场，如图2，此时，有劳伦茨力施加在电流上，使电流分布变形，同时在输出端形成了电位差。这个电位差就称为霍尔电压，它的大小与流过的电流I及穿过的磁场强度成正比。 霍尔电压与电流I和磁场强度B的乘积成正比，对于最常用的硅半导体材料，此比例系数是7uV/Vs/Gauss，其中,Vs是生成电流I的电压。从此系数可以看出，生成的霍尔电压是非常小的，实际应用中，需要放大器对此信号进行放大。 硅半导体材料也有压电效应，当有机械变形时，会引起其电阻值的变化，这样，当有应力引起硅变形时，必将影响霍尔传感器的效果，实际应用中，通常使用多个霍尔单元，来减小机械变形的影响，如使用两个或四个霍尔单元， ?霍尔单元只是个基本的磁传感器，对多数应用来说，还需要信号调理电路，将信号放大，同时增加温度补偿，使输出信号可以被其他电路或系统使用。同时如果供电电源没有稳压，还需要相应的电源调整电路。 如图3，这是一个基本的霍尔传感器，因