气相刻蚀选择性制备单一导电属性单壁碳纳米管.pdfVIP

2014 年 第 59 卷 第 33 期：3280 ~ 3292 《中国科学》杂志社 专辑: 纳米碳材料 评 述 SCIENCE CHINA PRESS 气相刻蚀选择性制备单一导电属性单壁碳纳米管 * 侯鹏翔, 刘畅, 成会明 中国科学院金属研究所, 沈阳材料科学国家(联合)实验室, 沈阳 110016 * 联系人, E-mail: cliu@ 2014-07-09 收稿, 2014-08-25 接受 国家自然科学基金和国家重点基础研究发展计划(2011CB932601)资助 摘要 单一导电属性单壁碳纳米管的控制制备是目前碳纳米管研究领域的重点和难点, 也是 关键词 制约其在微纳电子器件中应用的瓶颈. 近年来, 研究者致力于发展获得单一导电属性单壁碳纳 单壁碳纳米管 米管的方法, 并取得了较大进展. 其中, 气相选择性刻蚀方法因具有工艺简单、效果显著、易 金属性 规模化等特点而备受关注. 本文简要介绍了气相选择性刻蚀方法制备单一导电属性碳纳米管 半导体性 气相刻蚀 的原理及特点, 并综述近年来原位生长-刻蚀制备研究所取得的主要进展, 最后展望其发展趋 势. 单壁碳纳米管可看作是由单层石墨烯片层按照 蚀法[15~18] 、液相分离法[19~21] 、液相氧化法[22~24] 、焦 [25,26] [27] [28] 一定方式卷曲而成的直径为纳米尺度的一维中空管 耳热蚀法 、超声法 、胶带转移法 、碳源调 [1] [29,30] [31] 状结构, 其具有独特的弹道输运特性 、优异的结构 节法 、催化剂形貌调控 等. 在上述众多方法中, 稳定性[2]及直径和螺旋角依赖的金属性或半导体特 气相刻蚀法和液相分离法研究相对较为广泛和深入. 性[3] 等. 碳纳米管的载流子迁移率高达 79000 气相刻蚀主要是基于相近直径金属性碳纳米管具有 cm2/(V s) [4], 同时还具有极高的强度、优异的柔韧性 比半导体性碳纳米管更高的化学反应活性[18,32], 选 和伸展性[5]. 因而, 单壁碳纳米管在纳电子器件、柔 用合适的刻蚀性气体去除金属性碳纳米管, 实现半 性光电器件等领域有着广阔的应用前景[6~8]. 例如, 导体性单壁碳纳米管(s-SWCNTs)的选择制备或富集. 半导体性碳纳米管可用于高性能场效应晶体管等纳 液相分离法是利用金属性和半导体性碳纳米管理化 电子器件的沟道材料[6,7,9~11], 金属性碳纳米管可作为 性能的差异, 将单壁碳纳米管单分散在溶液中再进 连接导线及构建柔性透明导电薄膜等[12~14]. 然而, 行分离, 主要包括: 密度梯度离心分离法[19,20,33~36] 、 [21,37] [38] [39,40] 通常制备得到的碳纳米管都是金属性和半导体性碳 DNA 分离法 、电泳分离法 、色谱法 、选 纳米管的混合物, 这极大限制了半导体性或金属性 择性官能化反应[41~43]等.