石墨烯霍尔元件.pdfVIP

2014 年 第 59 卷 第 33 期：3212 ~ 3223 《中国科学》杂志社 专辑: 纳米碳材料 进 展 SCIENCE CHINA PRESS 石墨烯霍尔元件 ①② ① ① ① ①* ①② 张怡玲 , 陈冰炎 , 黄乐 , 徐慧龙 , 张志勇 , 彭练矛 ① 北京大学纳米电子器件物理与化学教育部重点实验室, 电子学系, 北京 100871; ② 北京大学前沿交叉学科研究院, 北京 100871 * 联系人, E-mail: zyzhang@ 2014-05-27 收稿, 2014-07-21 接受, 2014-10-15 网络版发表 国家自然科学基金和国家重点基础研究发展计划(2011CB933001, 2011CB933002)资助 摘要 回顾了石墨烯霍尔元件的现状, 并展望了其应用前景. 石墨烯霍尔元件能够充分发挥石墨 关键词 烯材料迁移率高和单原子薄层等优势, 规避其没有带隙或者小带隙的缺陷, 其主要的性能包括灵 石墨烯 敏度、线性度、分辨率、温度稳定性等都超过了基于传统半导体材料的霍尔元件, 而且制备工艺 传感器 简单, 容易得到高性能的石墨烯磁敏传感器. 基于化学气相沉积(CVD)生长并转移到绝缘基底上 霍尔元件 迁移率 的石墨烯材料, 批量制备出高质量性能均匀的石墨烯霍尔元件. 通过低温的器件加工工艺, 将石 集成电路 墨烯霍尔元件集成到硅基互补性金属氧化物半导体(CMOS) 电路中, 实现了高性能混合霍尔集成 电路, 展示了石墨烯霍尔元件与硅基CMOS 集成电路良好的工艺兼容性. 石墨烯自从 2004 年首次在实验室被分离到绝缘 原子间通过很强的键相连, 保证了材料结构的稳定  基底[1], 并发现具有场效应特性以来, 迅速成为研究 性及优异的力学性能, 并贡献剩余一个p 轨道上的电 热点, 成为继碳纳米管之后最热门的电子学材料. 作 子形成大键. 键垂直于碳原子层平面, 并提供参 为一种具有超高载流子迁移率的单原子层薄膜材料, 与导电的可以自由移动的电子, 因此石墨烯具有良 石墨烯被认为是构建各种纳米级器件的理想材料, 好的导电性. 本文将探讨石墨烯在霍尔磁传感器方面的应用. 石墨烯的能带如图1(b)所示, 态(成键态) 电子 形成价带, *态(反成键态) 电子形成导带, 导带和价 1 石墨烯器件与霍尔元件 带在k 空间6 个点上接触, 这些接触点为Dirac(Dirac) 点或者电中性点. 根据晶格对称性, k 空间的 6 个 1.1 石墨烯及其电学性质 Dirac 点可以减为2 个彼此独立的Dirac 点, 即K 和K′. 石墨烯之所以引起广泛关注和它自身的