第一章 - 绪论要点.pptVIP

集成电路原理与设计 任课教师：王向展 电子科技大学 微电子与固体电子学院 联系方式 课程简介 一、课程的任务 二、教学内容和要求 第一部分：Bipolar逻辑/模拟集成电路 第二部分：MOS逻辑/模拟集成电路 第三部分：集成电路的设计方法、步骤与实例 授课大纲 （52学时） 第1章 绪论 第2章 双极型逻辑集成电路 第3章 双极型集成电路的工艺与版图设计 第4章 MOS逻辑集成电路 第5章 MOS集成电路的版图设计 第6章 MOS模拟集成电路 三、教材和参考资料 1. 《半导体集成电路 》朱正涌编著，张开华主审， 清华大学出版杜 2001年，高等学校工科电子类规划教材 2. 《半导体集成电路》，张开华编著，东南大学出版社，1995年，高等学校工科电子类规划教材 。 参考资料：（1995年以后） 1. 半导体集成电路，朱正涌，清华大学出版杜 2001年1月第一版。 2. 数字集成电路设计透视（英文），J. M. Rabaey，清华大学出版社（影印），1999年2月第一版。 3. CMOS数字集成电路 - 分析与设计，S-M. Kang，清华大学出版社（影印），2004年8月第一版。 4. CMOS模拟电路设计（英文），P.E.Allen，D.R.Holberg，电子工业出版社，2002年6月第二版。 5. 模拟CMOS集成电路设计，毕查德.拉扎维著，陈贵灿等译，西安交通大学出版社，2003年3月第一版。 6. 模拟集成电路的分析与设计，P.R.Gray等著，高等教育出版社，2003年10月第一版。 参考资料：（1995年以前） 1. 双极集成电路分析与设计基础，贾松良，电子工业出版社，1987年。TN431 146。 2. MOS集成电路分析与设计基础，张建人，电子工业出版社，1987。 3. CMOS VLSI设计原理和系统展望，[美]，Neil Weste著，高教出版社。TN47 W388。 4. 超大规模集成物理学导论，童勤义，电子工业出版社， TN471。 5. 集成电路设计原理 - 模拟集成电路，复旦大学微电子教研室，高教出版社。 TN431.1 5222。 6. 超大规模集成电路技术，[美]，施敏，科学出版社。TN49 S93。 7. 双极与MOS模拟集成电路设计，[美]，艾伦.B.格里本，上海交大出版社。 TN431.1 9188。 第一章 绪论 § 1.1 集成电路的分类 § 1.2 描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标 § 1.3 集成电路设计与制造的主要流程框架 § 1.4 微电子科学技术的发展历史 § 1.5 微电子科学技术的战略地位 § 1.6 微电子发展的规律 § 1.7 半导体IC技术发展趋势 § 1.8 微电子学的特点 § 1.9 本课程教学方法 § 1.1 集成电路的分类 集成电路 (Integrated Circuits/IC) 是指用半导体工艺，或薄膜、厚膜工艺（或这些工艺的组合），把电路的有源器件、无源元件及互连布线以相互不可分离的状态制作在半导体或绝缘材料基片上，最后封装在一个管壳内，构成一个完整的、具有特定功能的电路、组件、子系统或系统。 § 1.2 描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标 1. 集成度(Integration Level) IC芯片所包含的元件(晶体管/门)数目，包括有源和无源元件 2. 特征尺寸(Feature Size or Critical Dimension ) 器件中最小线条宽度 or 最小线条宽度与线条间距之和的一半 3. 晶片直径(Wafer Diameter) 4. 芯片面积(Chip Area) 5. 封装(Package) § 1.3 集成电路设计与制造的主要流程框架 § 1.4 微电子科学技术的发展历史 1.晶体管的发明 2.集成电路的发明 3.集成电路发展简史 4.世界半导体行业概况 5.国内IC设计、制造现状分析： § 1.5 微电子科学技术的战略地位 1.微电子是信息社会发展的基石 2.微电子对传统产业具有渗透与带动作用 3.微电子对国家安全与国防建设具有增强作用 § 1.6 微电子发展的规律 不断提高产品的性能价格比是微电子技术发展的动力。 集成电路芯片的集成度每三年提高4倍，而加工特征尺寸缩小√2倍，这就是摩尔定律。 § 1.7 半导体IC技术发展趋势 一、提高集成度的途径 1、微细加工技术的提高 特征尺寸CD（Critical Dimension），MOS指工艺所能达到的最小沟道长度或栅的宽度；双极Bipolar指发射极（区）条的最小宽度。影响因素主要是光刻精度。每代产品的特征尺寸缩小约0.7倍。 2、芯片面积扩大