_第1章 半导体器件(蔡大华)_1.ppt

PN结的电容效应 例6：电路如图所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。 例8.直流电压源和交流电压源同时作用的二极管电路和波形. 2．半导体二极管的分类 例3：现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问： （1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。 4、变容二极管 是一种利用PN结电容（势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管。所用材料多为硅或砷化镓单晶，并采用外延工艺技术。反偏电压愈大，则结电容愈小。 5.肖特基二极管 肖特基（Schottky）二极管肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。它仅用一种载流子（电子）输送电荷 。 它是一种低功耗、超高速半导体器件，反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，其工作频率可达100GHz 。 多用作高频、低压、大电流（可达到几千安培）整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。常用在彩电的二次电源整流,高频电源整流中。 1.3 半导体三极管 1.3.1 基本结构及符号 三极管放大的外部条件： 2. 各电极电流关系及电流放大作用 1.3.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 1.3.4 主要参数 1. 电流放大系数，? B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP VBVE VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 三极管内部结构要求： 1. 发射区高掺杂。 2. 基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。 3. 集电结面积大。 N N P e b c IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件(电流控制的电流源）。 IE = IB + IC 3.三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 3. 三极管内部载流子的运动规律 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE- ICBO ? IBE ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数 集－射极穿透电流, 温度??ICEO? 通常忽略ICEO 若IB =0, 则 IC? ICE0 IE = IB ＋ IC ICBO 称反向饱和电流 ICEO 称穿透电流 整理可得： 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 特点:非线性 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3