电子科技大学通信射频电路 射频振荡器 33-35解读.pptVIP

低相位噪声振荡器设计 振荡器的主要设计目标之一就是低相位噪声。对三端振荡器输出信号的相位噪声为 欲降低相位噪声，则须提高QL。除要求振荡回路元件空载品质因数尽可能高之外，电路设计的原则是尽可能的减小放大器对振荡回路引入的损耗。 设计中应使放大器始终工作在线性放大区间，不能出现饱和状态。 低噪声振荡器要求尽可能高的有载品质因素，高的空载品质因素是前提。 一般而言，谐振回路中的电容的品质因数都远高于电感，故决定品质因数的元件主要是电感或等效电感。以石英晶体为代表的压电晶体器件（工作于感性区域）就具有较高的空载品质因数。 一般的电感Ql: 20-80 粗铜线绕制电感 Ql: 100-400 石英晶体Ql: 10000-300000 有源器件选择 振荡器性能很大程度上取决于所选用的有源器件是否适当。大多数振荡器使用硅双极型晶体管或GaAs器件。 有源器件在所需频带内能否产生足够的负阻或是前向增益很重要! 对不同应用及要求，闪烁噪声，输出功率等因数也应考虑到。 GaAs FET与硅双极型晶体管(BJT) GaAs FET有高振荡频率，高增益，高输出功率和高效率优点! 硅双极型晶体管有较低的闪烁噪声,用于低相位噪声振荡器 ! 7.5 射频振荡器设计 异质结双极性晶体管(HBT) HBT在微波和毫米波电路中表现出了出色的增益和噪声性能,HBT的垂直结构消除了FET的表面状态问题，有更好的相位噪声特性。 HBT跨导高，能在宽频带内产生负电阻，主要用于宽带可调振荡器。 HBT截止电压高，电流处理能力强，振荡器具有高输出功率。 SiGe双极型技术可以超过普通硅器件,提供与GaAs等同的性能，兼具硅的低价性和批量生产优点。 SiGe双极型晶体管 偏置电路设计 偏置电路设计一般独立于射频电路设计。 主要关注功率效率、稳定性和易用性。 设计低相噪振荡器时，偏置电路需要仔细选择以避免任何不希望的调制信号和噪声注入。 MESFET振荡器偏置电路 振荡器电路设计与仿真 实际的振荡器是非线性器件，小信号仿真能保证振荡条件和振荡频率,但无法准确预测输出功率。 小信号设计与仿真 大信号设计与仿真 三种主要设计方法 时域法; 谐波平衡法; Volterra级数法。 Clapp振荡器基本参数选择 例如 A X3 X2 X1 L C1 C2 C3 X1 石英晶体的等效电路 L C1 R C2 L是等效电感 (mH量级), C1为等效电容，R为等效电阻（101量级）, C2为等效支架电容(5pF). 石英晶体有两个谐振频率 串联谐振频率 并联谐振频率 石英晶体的电抗特性 fs f2 Xc f 石英晶体振荡器 C1 C2 C∞ XTAL out 分立Pierce电路（工作在感性区） 分立Pierce电路特点 1. 短期稳定度好 2. 输出功率大,要求放大器增益高(70dB） 集成Pierce电路（工作在感性区） C1 C2 RF RFout RF保证A类工作状态。其广泛应用于数字电路系统中作为系统时钟. 串联式晶振 C1 C2 C3 L 串联式Clapp晶振原理图 C1 C2 C∞ L 8.2μH 1KΩ 100Ω 45p 100 17~22p 1.2μH 300Ω 100 40MHz 2K 1K -12V 100μ 0.01μ 8K 10K 30Ω 91p 0.01 串联式Clapp晶振电路 低噪声高稳振荡器 为了得到更好的相位噪声特性，常采用双晶体振荡器，即外振荡器也用晶体取代电感. C1 C2 用作振荡器的晶体一般工作在串联谐振点附近（感性区域），可调频率范围很小. ‰ 振荡器的典型性能 类型 频率准确度 一般晶振 10-5-10-6 温补晶振 10-6-10-8 恒温晶振 10-7-10-9 铷钟 10-9-10-11 铯钟 10-11-10-13 氢钟 10-13以上 《射频通信电路》 第七章中习题 7.2，7.4, 7.6, 7.16, 7.17 《射频电路设计——理论与应用》 第十章习题 10.2，10.10，10.18 作业 电子科技大学 第十章 射频振荡器 本章内容 射频振荡器工作原理 射频振荡器主要技术指标 射频振荡器类型和基本电路 射频振荡器设计方法 掌握射频振荡器工作原理，射频振荡器的起振条件和稳定振荡条件,主要技术指标，射频振荡器基本电路拓扑结构,射频振荡器设计方法和性能仿真方法。 射频振荡器是射频/微波/毫米波电子系统中一个必不可少的器件，提供原