As掺杂碲镉汞富碲液相外延材料特性的研究.pdfVIP

第3l卷第1期 红外与毫米波学报 V01．31．No．1 2 2012年2月 Millim．Waves February，201 J．Infrared 文章编号：1001—9014(2012)01—0015—06 As掺杂碲镉汞富碲液相外延材料特性的研究 仇光寅， 张传杰， 魏彦锋， 陈晓静， 徐庆庆， 杨建荣 (中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室。上海200083) 摘要：对富碲液相外延As掺杂碲镉汞(HgcdTe)材料的研究发现，其电学性能存在着不稳定性，材料霍尔参数的实 验数据与均匀材料的理论计算结果也不能很好的吻合．通过采用剥层变温霍尔测量和二次离子质谱(SIMS)测试对 材料纵向均匀性进行检测的结果显示，外延材料中的As在高温富汞激活退火过程中具有向材料表面扩散的效应， 导致在表面形成了高于主体层浓度l～2个量级的高浓度表面层，并导致了As％受主的浓度在HgcdTe薄膜中呈非 均匀分布．考虑这一效应并采用双层模型的霍尔参数计算方法后，As掺杂HgCdTe液相外延材料的电学行为得到 了较好的解释，并较为准确地获得了退火后材料表面层与主体层的受主浓度及受主能级等电学参数． 关键词：碲镉汞；霍尔效应；As掺杂；激活退火；双层模型 中图分类号：0484．4文献标识码：A films Te··richLPE HgCdTe As-doped grownby Chuan—Jie，WEI QIUGuang-Yin，ZHANGYan—Feng，CHENXiao—Jing， XU YANG Qing—Qing， Jian—Rong ofInfrared Materialsand InstituteofTechnical (KeyLaboratory Imaging Detectors，Shanghai of 200083，China) Physics，ChineseAcademySciences，Shanghai of Te-richLPEwere Hallmeasurements Abstract：ne As·dopedHgcdTe grown properties epilayersby investigated．111e showedthattheelectrical varied withthe even were under condi· parametersgreatly samplesthoughthey grown thesanle tions．Ifthe area,ssumed cannotbe well the epilayers homogeneous，Hallparameters interpretedtheoretically．Byusing ionlllass Hall accumulationofarsenicatoms