一种低烧、低介、高频多层片式电感用的介质材料.pdfVIP

第17卷第3期 无机材料学报 V0117NO3 2002年5月 Journalof Materials 、Ia、2002 Inorganic 文章编号。1000—324X(2002)03·0497—07 一种低烧、低介、高频多层片式电感用的介质材料 罗凌虹1，一，周和平1，彭 榕1，乔 梁1 (1清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室．北京10008一l： 2，景德镇陶瓷学院材料I程系，景德镇333001) 摘 要：利用复合结构原理，研制出”硼硅玻璃+n一石英+硅酸锌”系低烧低介陶瓷材料． 利用XRD、HP4194频谱仪、SEM分析了该材料的晶相组成、介电性能及显微结构．结果表 明：在高频下，该材料具有很低的介电常数(K=4～5，1MHz)和很低的舟电损耗(tan6o 001，1MHz)，同时能在低于900。C温度下烧结．该材料是一种理想的适用于高频(1GHz以卜) 多层片式电感(MLCIs)元件用的介质材料．同时得出：在该组成中，硼硅玻璃重烧结的过程中 有方石英析出}少量硅酸锌由于锌离子进入玻璃中而转变为亚硅酸锌}硅酸锌在该组成中有助 烧结的作用，该材料舟电性能随频率的变化与德拜方程的描述基本吻合． 关键词：。硼硅玻璃+n一石英+硅酸锌”；介质材料；高频MLCIs 534 中围分类号：TM 文献标识码：A 1引言 多层片式电感(MLCIs)是近年来发展起来的一种重要的表面组装元件，是新一代表面 安装技术不可缺少的片式元件之一．目前作为片式电感发展主流的多层片式电感是将介质 材料和内电极(银、银钯等)经叠层共烧而成的独石结构，金属银是由于具有最低的电阻率 而被选为内部线圈的导体，如果采用银，介质材料要求900。C以下烧结；如果介质材料在 1050。C下烧结，则采用银钯、铜、金等电极，所以，其中低烧介质材料是其技术关键㈦]从 目前的研究和工业化的现状来看，目前片式电感用的低烧介质材料主要有三类，一一类是应用 于300MHz以下频率的铁氧体介质；第二类是应用于300MHz一1GHz频率范围的铁氧体和低 001 介瓷复合的介质材料；第三类是应用于高频范围几个GHz的低介电(Ⅳ5．o；tando 1MHZ)的陶瓷介质材料．在低介瓷的研究中，台湾学者Jen—YanHsu在一篇文章n提到他 们以低介瓷制备了三组样品进行实验，获得了从2．4—53GHz的截止频率．但在此文中，他并 没有明确指出所采用的低介瓷的体系，只是列出了几个条件，如低的介质电常数(在1MHz， Ⅳ=4～5)，低的介电损耗(在1MHz，tan5≤0001)以及低的烧结温度(低于900。C)我们知道电 感的介质材料不仅处于交变磁场中，也处于交变的电场中．若考虑整个片式电感器件在高频 下的性能，Jen．YahHsu，做了一些测试与推断在高频下MLCIs有一个附随电容(Parasitic 95 收稿日期：2001 11，收到修改稿日期：2001一06—1l 基垒项目：国家自然科学基金 作者简升：罗凌虹(1966一)，女，博士研究生，副教授． 万方数据 -198 无机材料学报 17卷 附随电容是高频下不同层之间的内部导体所产生的．因而，内部线圈的匝数越多，绕线导 体间的介质层越薄．以及介电材料的介电系数越大，都会增大G值．一般铁氧体的电介质 常数较大(K为10。5)，这使用其制造的多层片式电感的附随电容(％)较大．从而其截止频 率较小．近年来随着通讯技术的发展，手机上网，手提式电脑无线上网将是新一代无线通 汛技术．无线传输图