大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法研究.pdfVIP

第46卷第11期 原子能科学技术 V01．46，No．11 2012年11)9 Atomic Scienceand Nov．2012 Energy Technology 大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法研究 ’周 东1’2”，郭 飞1’2’3 旗1’2一，李豫东1’2，李明1’2”，席善斌1’2“，许发月1’2”，王 (I．中国科学院新疆理化技术研究所，新疆乌鲁木齐830011， 2．新疆电子信息材料与器件重点实验室，新疆乌鲁木齐830011‘ 3．中国科学院研究生院，北京100049) 摘要：结合数学回归分析与物理应力实验的方法，研究了集成电路抗辐射性能无损筛选技术。通过一定 的外界能量注入及总剂量辐照实验，探究电路典型参数的应变情况与电路耐辐射性能的关系，并确定其 辐射敏感参数；建立预测集成电路抗辐射性能的多元线性回归方程，并对应力条件下的回归方程进行辐 照实验验证。结果显示，数学回归分析与物理应力实验结合的方法提高了无损筛选的可靠性。 关键词：无损筛选；辐射损伤；回归分析；物理应力 中图分类号：TN791 文献标志码：A 文章编号：1000—6931(2012)11—1388—05 Researchon Non—destructiveMethodforRadiation Screening HardenedPerformanceof Scale Circuit VeryLarge Integrated ZHOU Don912”，GUOQil·2一，LIYu—don91”，LIMin912～， XIShan-binl·2”，XU Feil·2’3 Fa—yuel·2”，WANG TechnicalInstitute 830011，China； (1．Xinjiang ofPhysicsChemistry，ChineseAcademyof Sciences，Urumqi Electronic Materialsand 2．XinjiangKeyLaboratoryof hformation 830011，China； Devices，Urumqi 3．Graduate Chinese 100049，China) Universityof AcademyofSciences，Beijing the mathematical withthe Abstract：Combiningregressionanalysis physicalstressing non—destructivemethodforradiationhardened of