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微机原理课件存储器要点.ppt
存储器 重点:存储器的扩展方法 难点:存储器的扩展中的地址总线的连接 主要内容:包括半导体存储器的分类及特点;各类存储器芯片的组成与结构;存储器的扩展方法;提高主存速度的方法讨论。 目前,在计算机系统中通常采用三级层次结构来构成存储系统,主要由高速缓冲存储器Cacle、主存储器和辅助存储器组成。 存储器的层次和结构 高速缓冲存储器是计算机系统中的一个高速小容量存储器,位于CPU和内存之间。现代微机中,为了提高计算机的处理速度,利用高速缓存来暂存CPU正在使用的指令和数据,从而加快信息传递的速度。 主存储器在主机内部,用来存放当前正在运行的程序和数据。主存储器与CPU以及各种接口电路一起构成微机主机,CPU通过指令可以直接访问主存储器。器特点是速度较快,但容量不足够大,价格也较高。 辅助存储器属于计算机的外部设备,通常用来存储CPU当前操作暂时用不到的程序及数据。存储容量大,价格便宜,存储的信息掉电后不会丢失,但速度较慢。主要有硬盘、光盘、U盘等。 早期的硬盘 此款RAMAC在那时主要用于飞机预约、自动银行、医学诊断及太空领域内。普通用户是不可能用到得,当然当时的电脑也不多,还没有所谓的PC(Personal Computer)。 半导体存储器 SRAM 静态RAM,不需刷新 DRAM 动态RAM,需要刷新 RAM ROM 断电丢失信息 MROM PROM EPROM EEPROM FLASH-ROM 断电不会丢失信息 一、半导体存储器的分类 从工作特点及作用的角度可分为只读存储器ROM和随机存储器RAM。 RAM可分为SRAM和DRAM。 SRAM(静态RAM)的特点是只要不撤除工作电源,所保存的信息就不会丢失,一经写入可多次读出。 下面主要通过主存储器介绍半导体器件的分类、特点及其扩展技术。 SRAM 通常由6个MOS管组成。SRAM(静态RAM)的特点是只要不撤除工作电源,所保存的信息就不会丢失,一经写入可多次读出。 DRAM(动态RAM)内的电容上的电荷会因漏电而逐渐消失,导致所保持的信息只能维持维持2ms左右。因此,为了维持DRAM中的信息,必须配置刷新电路,每隔1ms~2ms要对其刷新一次。和SRAM相比,有存储容量大,功耗低等优点。主要用于一般微机系统中的内存,而SRAM用于微机的高速缓存。 2.只读存储器ROM(Read Only Memory) ROM可以分如下几种。 (1)MROM(掩膜ROM)。MROM中的信息是生产时一次性写入,不能修改,适合于存放成批生产的、成熟的程序与数据,此时其成本非常低。 (2)PROM(可编程ROM)。PROM中的信息由用户在特定条件下一次性写入,且无法修改。 (3)EPROM(紫外线可擦除可编程ROM)。可由用户使用紫外线照射来擦除信息,然后使用专门的编程器重新写入新的内容,并可多次擦除和多次改写,因此曾被广泛应用。 (4)EEPROM或E2PROM(电可擦除可编程ROM)。使用特定的电信号可多次清除和改写信息,可以在线擦除或改写信息,因此比EPROM使用方便,但存取速度慢,价格较贵。 (5)快速闪存存储器(Flash Memory),简称散存这种存储器继承了EEPROM电可擦除和结构简单的基本优点,并吸收了RAM访问速度快的优点,而且具有存储容量大,高读取速度,低功耗的优点。是一种可以替代其他ROM的,很有前途的存储器。由于闪存兼有RAM和ROM的优点,其使用日益广泛,如USB闪盘,主板,显卡的BIOS等大都采用闪存。 性能指标 容量:N*M位,N—单元数,M—位/单元。例如:存储器容量为256?4的存储芯片表示它有256个存储单元,每个存储单元只能存储4位二进制信息。 存取时间:是指启动一次存储器操作到完成该操作所用的时间。 功耗:存储器功耗是指它在正常工作时所消耗的电功率。通常,半导体存储器的功耗和存取速度有关,存取速度越快功耗就越大。因此,在保证存取速度前提下,存储器的功耗越小越好。 TOP851编程器 二、半导体存储芯片的基本结构 半导体存储器一般由地址译码器、存储矩阵、控制逻辑等部分组成。 1.地址译码器 用于接收CPU发出的地址信号,产生地址译码电路,以便选中存储矩阵中的某个存储单元。存储器矩阵中基本存储电路的编址方式有两种:单译码方式与双译码方式。单译码方式中存储器的存储单元呈线性排列。双译码方式将地址线分为列线和行线两组分别译码。见第12页图。 2.存储矩阵 存储体是能够存储二进制信息的基本存储单元的集合。为了便于信息的读/写,将这些基本的存储单元配置成一定的阵列并进行编址,所以也称存储体为存储矩阵。存储体中每个具有唯一地址的单元可存储一位或多位二进制数据。所以芯片的容量可以理解为芯片的存储单元与每个单元存储位数之积。例如, SRAM
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