微机原理课件要点.ppt

本章主要内容 微型机的存储系统、分类及其特点 半导体存储芯片的外部特性及其与系统 的连接 存储器扩展技术 5.1 概 述 内容： 微型机的存储系统 半导体存储器的基本概念 存储器的分类及其特点 两类半导体存储器的主要区别 微型机的存储系统 将两个或两个以上速度、容量和价格各不相同的存储器用硬件、软件或软硬件相结合的方法组织起来 这样就构成了计算机的存储系统。 系统的存储速度接近最快的存储器，容量接近最大的存储器。 两大类——内存、外存 内存——存放当前运行的程序和数据。 特点：快，容量小，随机存取，CPU可直接访问。 通常由半导体存储器构成 RAM、ROM 外存——存放非当前使用的程序和数据。 特点：慢，容量大，顺序存取/块存取。需调入内存后CPU才能访问。 通常由磁、光存储器构成，也可以由半导体存储器构成 磁盘、磁带、CD-ROM、DVD-ROM、固态盘 存储器的层次结构 微机拥有不同类型的存储部件 半导体存储器 由能够表示二进制数“0”和“1”的、具有记忆功能的一些半导体器件组成。如触发器、MOS管的栅极电容等。 能存放一位二进制数的器件称为一个存储元。 若干存储元构成一个存储单元。 内存储器的分类 内存储器 随机存取存储器（RAM） RAM 只读存储器（ROM） 只读存储器 *半导体存储器的分类 * 微型计算机存储器系统 存储器的主要技术指标 存储容量：存储单元个数M×每单元位数N 存取时间：从启动读(写)操作到操作完成的时间 存取周期：两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间 平均故障间隔时间MTBF（可靠性） 功耗：动态功耗、静态功耗 5.2 随机存取存储器 要求掌握： SRAM与DRAM的主要特点 几种常用存储器芯片及其与系统的连接 存储器扩展技术 一、静态存储器SRAM 1．基本存储电路单元（六管静态存储电路） 2.静态存储器SRAM特点： 用双稳态触发器存储信息。 速度快（5ns），不需刷新，外围电路比较简单，但集成度低（存储容量小，约1Mbit/片），功耗大。 在PC机中，SRAM被广泛地用作高速缓冲存储器Cache。 对容量为M*N的SRAM芯片，其地址线数=㏒2M；数据线数=N。反之，若SRAM芯片的地址线数为K，则可以推断其单元数为2K个。 3.典型SRAM芯片 典型SRAM芯片 地址线： A0～A10 数据线： D0～ D7 输出允许信号：OE 写允许信号： WE 片选信号： CS 典型SRAM芯片 地址线： A0～A12 数据线： D0～ D7 输出允许信号：OE 写允许信号： WE 片选信号： CS1、CS2 二、动态随机存储器DRAM 1．动态RAM的存储单元（单管动态存储电路） 动态随机存储器DRAM特点： DRAM是靠MOS电路中的栅极电容来存储信息的，由于电容上的电荷会逐渐泄漏，需要定时充电以维持存储内容不丢失（称为动态刷新），所以动态RAM需要设置刷新电路，相应外围电路就较为复杂。 刷新定时间隔一般为几微秒～几毫秒 DRAM的特点是集成度高（存储容量大，可达1Gbit/片以上），功耗低，但速度慢（10ns左右），需要刷新。 DRAM在微机中应用非常广泛，如微机中的内存条（主存）、显卡上的显示存储器几乎都是用DRAM制造的。 2. 典型DRAM芯片Intel2164A 典型DRAM芯片2164A 2164A：64K×1 采用行地址和列地址来确定一个单元； 行列地址分时传送， 共用一组地址线； 地址线的数量仅 为同等容量SRAM 芯片的一半。 主要引线 RAS：行地址选通信号，用于锁存行地址； CAS：列地址选通信号。 地址总线上先送上行地址，后送上列地址，它们分别在RAS和CAS有效期间被锁存在地址锁存器中。 DIN： 数据输入 DOUT：数据输出 工作原理 三种操作： 数据读出 数据写入 刷新:将存放于每位中的信息读出再照原样写入原单元的过程——刷新 5.3 只读存储器（ROM） 一、掩膜型只读存储器 （MROM） 二、 可编程只读存储器 （PROM） 特点： 可多次编程写入； 掉电后内容不丢失； 内容的擦除需用紫外线擦除器。 基本存储电路 EPROM芯片Intel2716 EPROM芯片 Intel2764 2764的工作方式 四. 电擦除可编程只读存储器(EEPROM) Intel 2817 五、闪速E2PROM 特点： 快擦型存储器是不用电池供电的、高速耐用的非易失性半导体存储器 Flash Memory芯片